存储相关名词解释
电子技术
2024-05-07 10:28
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存储器是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。每个单元由若干二进制位构成，以表示存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构非常相似，故在VHDL语言中，通常由数组描述存储器。存储芯片是最小单元的阵列式复制，标准化程度高。
ROM：Read-Only Memory，只读存储器的缩写，是以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。
ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变，并且结构简单，使用方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
RAM：Random Access Memory，随机存取存储器的缩写，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。
RAM可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
DRAM：Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器的缩写，是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。
由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
Nand Flash：非易失存储器，是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
Nand flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
Nor Flash存储器：指非易失存储器，是flash存储器的一种，它的结构存储单元是并行排列且为行列寻址，最小寻址单位是byte。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s。NOR的特点是芯片内执行(XIP, execute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
存储容量：指可以容纳的二进制信息量，用存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储字位数的乘积表示。
网络上的所有信息都是以“位”（bit）为单位传递的，一个位就代表一个0或1。每8个位（bit）组成一个字节（Byte）。
例如：每一千个字节称为1KB，这里的“千”不是通常意义上的1000，而是指1024。
即：1KB=1024B。每1024MB是1GB，即1GB=1024MB。
随着存贮信息量的增大，有更大的单位表示存贮容量单位，比吉字节（GB, gigaByte）更高的还有：太字节（TB，teraByte）、PB(PetaByte)、EB（ExaByte）、ZB（ZettaByte）和YB（yottaByte）等。
存储器存取时间：指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。
主存储器的主要性能指标为主存容量、存储器存取时间和存储周期时间。存储器的速度一般用存储器存取时间和存储周期来表示。存取时间的取决于存储介质的物理特性和访问机构的类型。
存储周期：指对存储器进行连续两次存取操作所需要的最小时间间隔。
由于有些存储器在一次存取操作后需要一定的恢复时间，所以通常存取周期大于或等于取数时间。读写周期一般与存储器的类型有关，在一定程度上体现存储器的速度。
写入速度：指将外部数据记录到存储设备中去时的速度，可以理解成为是相当于粘贴的速度。
硬盘的读写速度受到多种因素的影响，如转速、缓存大小、CPU级别缓存、计算机内存、显卡显存、硬盘缓存等影响。
不同的存储器类型有不同的读取速度，例如固态硬盘（SSD）的读取速度比机械硬盘（HDD）快得多。
在计算机中，CPU缓存和内存都是用于存储数据的设备。CPU缓存是位于CPU内部的高速缓存，用于存储最近使用的数据。内存则是用于存储正在运行的程序和数据。
擦除速度：指将存储设备中的数据清除的速度，可以理解为是删除文件时的速度。
闪存具备读、写和擦除3种操作，页是闪存的基本读写单位，重写数据前必须进行擦除，擦除操作以块为单位，执行时间和能耗远高于读写操作。
3D NAND：指一种非易失性存储技术(NVM Non-Volatile Memory)，属于存储器的一种。
3D NAND是一种能够在断电后保持存储数据的存储器技术，与易失性存储器不同，非易失性存储器不需要持续的电源供应来保持存储的数据，包括ROM Read-Only Memory 与Flash Memory 两种。而Flash Memory包括NOR与NAND。
NAND又分2D NAND 与 3D NAND。3D NAND闪存通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，从而提高了存储密度和可靠性。
3D DRAM：指一种具有新结构的存储芯片，打破了当前陈旧的范式。
现有的DRAM产品开发侧重于通过减小电路线宽来提高集成度，但随着线宽进入10纳米范围，电容器电流泄漏和干扰等物理限制使得传统DRAM的性能瓶颈越来越明显。而3D DRAM则采用了新的结构，将多个DRAM芯片堆叠在一起，形成一个高密度、高带宽的内存模块。
HDD机械硬盘：是指一种传统的存储设备，它的内部结构是由一个旋转的盘片和读写头组成的。
当计算机需要读取或写入数据时，盘片会旋转并移动读写头，以便将数据从磁盘上读取到内存中或从内存中写入磁盘。相比于固态硬盘（SSD），HDD具有更高的存储容量和更低的价格。但是，由于其内部结构的原因，HDD的读写速度相对较慢，且易受到震动、碰撞等因素的影响而损坏。
SSD固态硬盘：SSD固态硬盘是指一种高速、低功耗、无噪音、无机械部件的新型存储设备。
它使用闪存芯片而不是机械部件来存储数据，因此具有比传统机械硬盘更高的读取和写入速度，更长的寿命，更大的可靠性和更好的耐用性。相比于HDD，SSD没有旋转的盘片和读写头，而是通过电子存储芯片阵列来存储数据，因此更加耐用，同时也更加安静和节能。
转自-懂点技术的采购YJ
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