一、兆易创新存储产品发展历程 2005年，推出了第一颗国产SRAM IC 。2008年，成功量产180nm SPI NOR Flash。2013年，推出业界第一颗SPI NAND Flash。2017年，联合合肥产投，开展工艺制程19nm的12英寸DRAM项目，涉足DRAM市场。2020年，与长鑫存储签署协议进行代销、采购、联合开发等合作。2021年，发布首款自有品牌DRAM产品。
四、关于KGD和KTDKGD是客户系统级封装(SiP)时的首选，有助于简化系统设计并减小芯片尺寸。兆易创新所有SPI NOR Flash和NAND Flash均支持KGD，KGD产品以未切割晶圆的形式交付。KGD：Known Good Die，确认好裸芯片，合格芯片。其表示裸片或未封装IC具有与同等封装器件相同的质量和可靠性，并且可以直接运送给客户进行组装 。KTD：Known Tested Die，全测试芯片。其指与已封装产品一样做全功能测试，但最终封装的质量和可靠性仍无法完全保障，成品率受到一定影响 。
