1970年代~2000年代，DRAM的惨烈搏杀和王朝更替

电子技术 2024-05-21 11:05 314 0

70年代，Intel凭借1K DRAM研发成功迅速占领市场，IBM和德州仪器也开始入局。

80年代，日本厂商凭借低价优势份额持续提升，韩国三星也在此时开始布局DRAM。

90年代，开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM陆续退出DRAM市场。

近10年，DRAM市场集中度逐渐上升，形成了三星电子、SK海力士、美光三足鼎立的格局。

1970年代前期，Intel一家独大，占据全球超80%份额。

Intel研究小组利用MOS工艺开发出1kb DRAM，并通过解决各项生产工艺缺陷，于1970年在其3寸晶圆厂成功量产C1103，奠定了DRAM快速商业化的基础。

由于当时大中型计算机使用的磁鼓存储器笨重昂贵，Intel向计算机用户大力宣传DRAM，1972年凭借1K DRAM取得巨大成功。到1974年，Intel的 DRAM市场份额达82.9%。

1970年代后期，Mostek击败Intel，成为DRAM市场最大厂商。

1973年，美国其他厂商例如德州仪器、Mostek(由德州仪器的前员工于1969年创立)、日本厂商NEC等先后进入DRAM市场，德州仪器推出成本更低的4K DRAM，Mostek推出针脚更少的4K DRAM，均成为Intel的强劲对手。

1976年，Mostek推出的MK4116采用了POLY-II(双层多晶硅栅工艺)，容量达16K，大获成功，占领75%的DRAM市场。而后继续持续推出新产品，在70年代后期，一度占据DRAM市场85%份额。但后来公司发展遭遇较大障碍。

1978年，四位Mostek离职技术人员创立了另一个未来的存储巨头--镁光。

1980年代：“低价优质”的日本产品横扫美国市场，Intel含恨退出

1976年，日本VLSI联合研发体成立，设立了6个实验室，从高精度加工技术、硅结晶技术、工艺处理技术、监测评价技术、装置设计技术等方向入手，成功攻克了包括电子束光刻机、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备，以及领先的制程工艺和半导体设计能力。

在VLSI项目的推动下，日企1980年研制成功64K DRAM，已成功赶上美企DRAM研发进度。

1983年，日本DRAM内存在美国市场大获成功，当时主流提供256K内存公司中，日本企业有富士通、日立、三菱、NEC、东芝等多家，而美企仅有摩托罗拉，而仅NEC九州工厂的256K DRAM月产量，就高达300万块。

1984年，日立生产的DRAM内存已开始采用1.5um生产工艺，三菱甚至公开4M DRAM关键技术。

1986年，仅东芝一家，每月1M DRAM产量就超过100万块。

到1980年代中期，日本厂商的DRAM产品技术领先，产品质量更好而价格却更低，几乎横扫了美国市场。

截至1986年，日本存储器产品的全球市场占有率上升至65%，而美国则降低至30%。

1985年，陷入泥潭的Intel不得已宣布退出DRAM市场。

1990年代：日美关系转变，韩国抓住契机切入半导体产业

早在日本启动VLSI研究项目的同时(1976年)，韩国政府已建立韩国电子技术研究所(KIET)，分为半导体设计、制程、系统三大部门，交由从美国半导体产业回来的技术专家负责，招收大量美国归来的韩系工程师，集中研发集成电路关键技术。

1985年，美国里根总统开启第二届任期，而随着美国与苏联的冷战威胁减弱，以及美国政府赤字急剧增加，美国政府对日本经济的扶持政策发生转变，日美贸易摩擦增加，美国主导的《广场协议》开启了日元升值之路，美国半导体协会也发起了对日本半导体等产品的反倾销诉讼，而后达成了对日本半导体产品的价格监督协议。