PWD5T60 点击型号查看芯片规格书
Texas Instruments(德州仪器) 芯片规格书大全
意法半导体EVLPWD5T60评估板设计用于评估PWD5T60三相高密度功率驱动器的特性。驱动器具有集成栅极驱动器和6个n沟道功率mosfet。该器件支持三分流和单分流电流传感拓扑结构，并具有用于每个输出的专用输入引脚和关闭引脚。意法半导体EVLPWD5T60可通过带状连接器轻松连接MCU控制板。该板可以通过使用34针ST morpho连接器的X-NUCLEO-IHM09M1电机控制连接器扩展板连接到STM32 Nucleo板。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，低至3.3V，与控制设备无缝集成。
高达400V的高压导轨(DC)(受板载电容限制)
输出电流高达1.2A(峰值)(过流保护阈值可调)
输出功率高达120W
集成栅极驱动器和高压功率mosfet的电源系统级封装
R(ds (on)) = 1.38欧姆
BVDSS = 500v
9V(DC) ~ 20V(DC)驱动输入电压范围
可选择单或三分流电流传感拓扑
有传感器或无传感器FOC或6步算法
霍尔效应传感器连接器
智能关机过流保护
母线电压感应
用于与MCU接口的连接器
通过无铅认证
