GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT的介绍、特性、及应用

GWA40MS120DF4AG  点击型号查看芯片规格书

STMicroelectronics(意法半导体) 芯片规格书大全

芯片规格书搜索工具-icspec

意法半导体GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT采用先进的专有沟槽栅场止动结构开发。该IGBT是MS系列的一部分，专为逆变器系统设计。在高母线电压下，其出色的短路能力使其成为此类应用的理想选择。此外，微正的V(CE(sat))温度系数和非常紧密的参数分布有助于更安全的并联操作。GWA40MS120DF4AG汽车级IGBT具有1200V集电极-发射极电压(V(GE)=0V)， 40A连续集电极电流(T(C)=100°C)和120A脉冲正向电流。该IGBT采用to -247长引线封装，工作温度范围为-55°C至175°C。典型的应用包括辅助负载，热管理和PTC加热器。

特性

• 先进的专用沟栅场止动结构

• 严密的参数分布

• 正V(CE(sat))温度系数

• 低热阻

规范

• AEC-Q101合格

• 在V(CC)=800V, V(GE)=15V, T(J)(start)=175℃时，8μs的耐短路时间

• 1200V时集电极-发射极电压V(GE)=0V

• 在T(C)=100℃时，40A连续集电极电流

• 120A脉冲正向电流

• 536W T(C)=25℃时的总功耗

• 工作温度范围-55℃~ 175℃

应用程序

• 辅助负载

• 热管理

• PTC加热器

测试电路

包信息