EUV（Extreme ultra-violet，极紫外）是一种使用波长10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。
EUV关键技术
EUV包括几个关键阶段：掩模基材、掩模图案化、掩模处理和光刻胶材料。
◼ Photomask ：
光掩模是光刻工艺中用于将电路图案转移到半导体晶片上的重要工具。它包含电路的精确图案，该电路被投射到晶圆上的光刻胶层上，定义了将添加或去除材料的区域。
◼ Pellicle ：
薄膜是涂在光掩模上的一层薄透明薄膜，用于保护其免受灰尘颗粒和其他污染物的侵害。这确保了光掩模的图案在光刻过程中保持完整和清晰，从而提高了产量和准确性。
◼ Photoresist ：
光刻胶是一种应用于晶圆表面的感光材料。当通过光掩模暴露在光线下时，光刻胶会发生化学变化，从而允许选择性蚀刻或沉积。它在定义半导体器件的复杂图案方面起着关键作用。
EUV供应链
以下是涉及EUV技术的全球主要企业，以及他们的关系：
