一些存储相关的专有名词
电子技术
2025-11-12 17:47
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JEDEC：JEDEC 固态技术协会，固态及半导体工业界的一个标准化组织，制定固态电子方面的工业标准。
闪存市场（CFM）：China Flash Market的缩写(中国闪存市场)，是国内权威的存储市场资讯平台,专业提供闪存行业产品价格、信 息咨询、产品顾问、产业分析等商业资讯。
固件：Firmware，出厂预设在存储器中，运行在闪存控制器内部的程序代码， 担任着存储器中协议处理，数据管理和硬件驱动等核心工作。如SSD固件包括传输协议处理、逻辑管理算法、数据加密和保护、闪存驱动、介质保护、异常处理和设备健康管理等功能，对存储器设备的功能、性能、可靠性、寿命等关键指标具有重要影响。
主控：Flash Memory Controller，一种专用的微型处理器，一般采用高性能低功耗的RISC指令架构运行固件代码进行系统管理和调度，提供专用闪 存驱动模块和高速DMA数据通道进行闪存介质的驱动和高速数据传 输，其特定的外部接口和协议处理模块负责和主机之间的通讯交互并决定了存储产品的形态和类别。
Byte：是计算机信息技术用于计量存储容量的一种计量单位。MB 指 Megabyte（兆字节，简称“兆”），GB 指 Gigabyte （吉字节，又称“千兆”），TB 指 Terabyte（太字节），PB 指 Petabyte （拍字节），EB 指 Exabyte（艾字节），ZB 指 Zettabyte（泽字节）
换算关系 为 1GB=1,024MB，1TB=1,024GB，1PB=1,024TB，1EB=1,024PB，1ZB=1,024EB。
RAM：随机存取存储器（Random Access Memory），存储单元的内容可按需随 机取出/存入，且存取的速度与存储单元的位置无关。RAM 断电时将丢 失存储内容，是易失性存储器，主要用于短时间内存储临时数据。
DRAM：动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory），RAM 的一 种，每隔一段时间要刷新充电一次以维持内部的数据，故称“动态”
NOR Flash：代码型闪存芯片，一种非易失闪存技术及基于该技术的产品。
NAND Flash：数据型闪存芯片，主要非易失闪存技术之一。
3D NAND：是一种新兴的闪存类型，通过把存储单元堆叠在一起来 解决 2D 或者平面 NAND 闪存带来的限制。
TLC：三层单元闪存，目前主流 NAND 闪存技术 Triple Level Cell 的缩写，每个存储单元存储 3 位数据，平衡了容 量、成本与性能，应用广泛。
QLC：四层单元闪存，NAND 闪存技术 Quad-level Cell 的缩 写，每个存储单元可存储 4 位数据，具有更高的存储密 度和更低的成本。
HBM：高带宽存储器，High Bandwidth Memory 的缩写，是一种基于 3D 堆叠的 DRAM 技术，通过硅穿孔连接多层芯片， 实现超高带宽和低功耗，主要用于 AI 加速、数据中心等 高性能计算场景。
HBF：高带宽闪存，High Bandwidth Flash 的缩写，是闪迪（Sandisk）公司研发的新一代存储技术，专为人工智能（AI）领域设计，通过垂直堆叠多层存储芯片并采用硅通孔连接，结合了 3D NAND 闪存和高带宽存储器（HBM），实现传统闪存无法比拟的超高带宽与大容量存储能力。
SATA：Serial Advanced Technology Attachment 的简称，中文名为串行ATA，是由Intel、IBM、Dell、APT、Maxtor 和 Seagate公司共同提出的硬盘接口规范。
M.2：一种微型化接口标准，用于连接固态硬盘，支持 SATA/PCIe/NVMe 协议，通过不同键位实现硬件兼容，广 泛应用于笔记本、主板扩展等场景。
U.2：一种企业级存储接口标准，兼容 SAS/PCIe 协议，采用 2.5 英寸物理规格，支持热插拔和高速数据传输，主要用于服务器、存储阵列等需要高可靠性与扩展性的专业设备。
NVMe：Non-Volatile Memory Express 的缩写，是一种专为闪存设计的存储协议，通过 PCIe 总线实现低延迟、高并发， 广泛应用于高性能计算和消费级设备。
eMMC：Embedded Multi Media Card 的缩写，一种内嵌式存储器标准，主要针对手机产品； eMMC 的主要优势是集成了一个控制器，提供标准接口并管理闪存，使手机设计者免受闪存不断升级的影响，专注于产品其它部分的开发，缩短产品开发周期。
MCP：多芯片封装（Multiple Chip Package），将两种以上的存储芯片通过堆叠 等方式封装在一个封装体内。
eMCP：基于eMMC 的多制层封装芯片(eMMC-based multi-chip package)，一种 集成封装 eMMC 和 LPDDR 的多制层封装芯片
uMCP：基于UFS 的多制层封装芯片(UFS-based multi-chip package)，一种集成 封装 UFS 和 LPDDR 的多制层封装芯片。
ePOP：Embedded Package-on-Package 的英文缩写，中文名 称为嵌入式叠层封装存储芯片，主要用于穿戴设备。
UFS：Universal Flash Storage 的缩写，是一种设计用于数字相机、智能手机等消费电子产品使用的闪存存储规范。 UFS 相较 eMMC 最大的不同是并行信号改为了更加先进的串行信号，从而可以迅速提高频率；同时半双工改为全双工；UFS 基于小型电脑系统接口结构模型以及支持SCSI 标记指令序列。
SSD：Solid State Disk 的缩写，即固态硬盘(区别于机械磁 盘)，用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，一般包括控制单元和存储单元(Flash 或 DRAM)，存储单元负责存储数据，控制单元承担数据的读取、写入。
PSSD：移动固态硬盘，主要指采用 USB 或 IEEE1394 接口，可以随时插上或拔下，小巧而便于携带的硬盘存储器，可以较高的速度与系统进行数据传输。
SD 卡：Secure Digital Memory Card 的缩写，中文称为安全数码卡，一种基于 NAND Flash 的存储设备，广泛应用于数码相机等便携式装置，其中，Micro SD 卡是 SD 类型中尺寸最小的一种 SD 卡。
CF 卡：Compact Flash Card 的缩写，是一种用于便携式电子设备的数据存储设备。
NM 卡：Nano Memory Card 的缩写，是华为自创的一种超微型存 储卡，与 Micro SD 存储卡相比，体积减小 45%，和 Nano SIM 卡的规格几乎完全相同。
LPDDR：低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器，Low Power Double Data Rate SDRAM 的缩写，是一种低功耗移动内存标准，能够支持智能终端的长时间续航与 AI 负载，广 泛应用于各类移动终端。
LPCAMM2：第二代低功耗压缩附加内存模块，Low Power Compression Attached Memory Module 2 的缩写，由 JEDEC 组织制定的新一代内存标准，结合了 LPDDR 的高 效特性与模块化设计的灵活性，实现模块化可升级设计，优化空间效率与散热，专为笔记本电脑和紧凑型设备设计。
CAMM2：第二代压缩附加内存模块，Compression Attached Memory Module 2 的缩写，是 JEDEC 的新一代内存标准， 通过压缩连接器与主板连接，实现更薄、更快、更高容量的内存方案，适用于笔记本电脑、移动工作站等设备
DIMM：双列直插内存模块（Dual Inline Memory Module），DRAM 内存模组的主流规格之一。
SODIMM：小尺寸双列直插式内存模块，Small Outline DIMM 的缩 写，尺寸约为标准 DIMM 的一半，专为笔记本电脑、嵌入式系统等设计。
UDIMM：缓冲双列直插内存模块，Unbuffered DIMM 的缩写，无寄存器或缓冲器。成本低、延迟小，常见的桌面级内 存类型，适用于个人电脑、入门级服务器等场景。
RDIMM：带寄存器的双列直插式内存模块，Registered DIMM 的 缩写，通过寄存器缓冲地址和控制信号，支持更大内存容量和多通道配置，主要应用于服务器、工作站等对可靠性要求高的场景。
CSODIMM：带时钟的小型双列直插内存模组，Clocked Small Outline DIMM 的缩写，在标准 SODIMM 基础上增加时钟驱动器，用于优化高频信号完整性，支持更高的内存频率。
CUDIMM：带时钟的无缓冲双列直插内存模组，Clocked Unbuffered DIMM 的缩写。通过集成时钟驱动器增强信号稳定性，突破传统内存的频率瓶颈。
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