NOR Flash是什么？
NOR Flash是采用“或非”逻辑门电路的可被电子删除和重编的电子非易失性计算机存储媒介。
NOR Flash技术起源
1980年，东芝富士雄申请了simultaneously erasable EEPROM专利，并随后取名为Flash。
1984年，富士雄在IEEE大会提出NOR Flash的完整概念。
1987年，东芝商业化推出了NAND Flash。
1988年，英特尔推出了第一款商用NOR Flash—"Flash Memory"，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
从此，NOR和NAND“各具优势”并存发展。
NOR FLash 的技术演进
并行→串行：1994年，串行NOR Flash问世，接口从并行转向串行，节省了I/O影脚数，功耗降低、体积减小、成本下降。
容量扩展：从早期256Kb发展至2Gb全容量覆盖，满足不同应用需求。
低功耗：Vcc从3.3V降至1.8V甚至更低，适应IoT设备需求。
NOR Flash工艺节点和容量
1988年，英特尔特出的第一款商用NOR Flash是256Kbit。
2004年，英特尔推出90nm工艺NOR Flash，存储密度提升50%。
2017年，武汉新芯推出45nm工艺，单颗容量达8Gb。
2023年，兆易创新实现19nm工艺量产，领先行业。
2025年起，55nm及以下工艺产品占比将达67%，传统90nm以上工艺逐步淘汰。
NOR Flash主流技术路线——ETOX和SONOS
SONOS全称为Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon（硅-氧化物-氮化物- 氧化物-硅），是一种基于电荷俘获（Charge Trapping）机制的非易失性存储器技术。
ETOX全称为Electron Tunneling Oxide device（电子隧穿氧化物器件），采用浮栅 (Floating Gate) 结构实现数据存储。
ETOX和SONOS是NOR Flash两大主流技术体系。SONOS技术在NOR Flash市场占比从2018年的不足8%增至2024年的约25%，尤其在512Kb-64Mb容量区间已成为主流选择，但在大容量、超高可靠性场景ETOX仍不可替代。
转自-懂点技术的采购YJ
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