AO3401点击型号即可查看芯片规格书
AO3401 中文资料规格参数
| 技术参数 | 极性 | P-CH |
耗散功率 | 1.4 W | |
漏源极电压(Vds) | 30 V | |
连续漏极电流(Ids) | 4A | |
上升时间 | 3.5 ns | |
输入电容(Ciss) | 645pF @15V(Vds) | |
下降时间 | 9 ns | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 1.4W (Ta) | |
| 封装参数 | 引脚数 | 3 |
封装 | SOT-23-3 | |
| 外形尺寸 | 封装 | SOT-23-3 |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
| 海关信息 | 香港进出口证 | NLR |
AO3401 引脚图 | 原理图 | 电路图
AO3401 引脚图
AO3401 原理图
AO3401 电路图
产品概述
-30V,-4A,P沟道MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.053Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--1.3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS (V) = -30V ID = -4.2 A (VGS = -10V) RDS(ON) < 50mΩ (VGS = -10V) RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V) RDS(ON) < 120mΩ (VGS = -2.5V) 描述与应用| VDS（V）=-30V ID=-4.2 A（VGS=-10V） RDS（ON）<50MΩ（VGS=-10V） RDS（ON） <65mΩ（VGS=-4.5V） RDS（ON） <120MΩ（VGS=-2.5V）
