MMBT3904点击型号即可查看芯片规格书
MMBT3904 中文资料规格参数
| 技术参数 | 频率 | 300 MHz |
额定电压(DC) | 40.0 V | |
额定电流 | 200 mA | |
针脚数 | 3 | |
极性 | NPN | |
耗散功率 | 350 mW | |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V | |
最小电流放大倍数(hFE) | 100 @10mA, 1V | |
最大电流放大倍数(hFE) | 300 | |
额定功率(Max) | 350 mW | |
直流电流增益(hFE) | 300 | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 350 mW | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 | |
封装 | SOT-23-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm | |
高度 | 0.93 mm | |
封装 | SOT-23-3 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
制造应用 | Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial, Power Management, | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC标准 | No SVHC | |
REACH SVHC版本 | 2015/06/15 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
MMBT3904 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
MMBT3904 引脚图
MMBT3904 封装图
MMBT3904 封装焊盘图
产品概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT3904 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 300 hFE
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation | Description & Applications | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. ® As complementary type, the PNP transistor MMBT3906 is recommended. ® This transistor is also available in the TO-92 case with the type designation 2N3904. 描述与应用 | NPN硅外延平面晶体管开关和放大器应用。 ®作为互补型，PNP 晶体管MMBT3906推荐。 ®这个晶体管也可以在TO-92 同类型案件指定2N3904。
