BSS138点击型号即可查看芯片规格书
BSS138 中文资料规格参数
| 技术参数 | 针脚数 | 3 |
漏源极电阻 | 0.7 Ω | |
耗散功率 | 360 mW | |
阈值电压 | 1.3 V | |
漏源极电压(Vds) | 50 V | |
上升时间 | 9 ns | |
输入电容(Ciss) | 27pF @25V(Vds) | |
下降时间 | 7 ns | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 360 mW | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 | |
封装 | SOT-23-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm | |
高度 | 0.93 mm | |
封装 | SOT-23-3 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 其他 | 产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
制造应用 | 电机驱动与控制, Industrial, Motor Drive & Control, Power Management, 电源管理, 消费电子产品, 工业, 便携式器材 | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free |
BSS138 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
BSS138 引脚图
BSS138 封装图
BSS138 封装焊盘图
产品概述
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管(FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
立创商城:N沟道 50V 220mA
得捷:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
欧时:ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138, 220 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
