【MMBT3906 PDF数据手册】_中文资料_(飞兆/仙童 Fairchild)

元器件信息   2022-11-04 16:36   331   0  

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MMBT3906 中文资料规格参数


技术参数

频率

250 MHz

额定电压(DC)

-40.0 V

额定电流

-200 mA

针脚数

3

极性

PNP, P-Channel

耗散功率

350 mW

增益频宽积

250 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

最小电流放大倍数(hFE)

100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE)

300

额定功率(Max)

350 mW

直流电流增益(hFE)

300

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

3

封装

SOT-23-3

外形尺寸

长度

2.92 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.93 mm

封装

SOT-23-3

物理参数

工作温度

-55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

制造应用

Industrial

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

海关信息

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8541210075

香港进出口证

NLR


MMBT3906 引脚图


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MMBT3906 引脚图


产品概述


FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT3906  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 300 hFE

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. 描述与应用| PNP外延平面晶体管PNP通用放大器 这个装置是专为通用放大器和开关应用在集电极电流为10μA至100 mA的。

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