2N7002K点击型号即可查看芯片规格书
2N7002K 中文资料规格参数
| 技术参数 | 通道数 | 1 |
针脚数 | 3 | |
漏源极电阻 | 2 Ω | |
极性 | N-Channel | |
耗散功率 | 350 mW | |
阈值电压 | 2.5 V | |
漏源极电压(Vds) | 60 V | |
输入电容(Ciss) | 50pF @25V(Vds) | |
额定功率(Max) | 350 mW | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 350mW (Ta) | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 | |
封装 | SOT-23-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm | |
高度 | 1.2 mm | |
封装 | SOT-23-3 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC标准 | No SVHC | |
REACH SVHC版本 | 2015/06/15 | |
| 海关信息 | 香港进出口证 | NLR |
2N7002K 引脚图 | 封装图
2N7002K 引脚图
2N7002K 封装图
产品概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
The2N7002Kis a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor features low on resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance and fast switching speed.
.Low input/output leakage
.±20V Gate-source voltage
欧时:### 增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
e络盟:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N沟道 增强型 场效应晶体管 SOT-23
Verical:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
罗切斯特:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Online Components:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
