【BD135 PDF数据手册】_中文资料_(意法半导体 ST Microelectronics)

元器件信息   2022-11-11 09:18   288   0  

BD135点击型号即可查看芯片规格书


芯片规格书搜索工具-icspec


BD135 中文资料规格参数


技术参数

频率

50 MHz

针脚数

3

极性

NPN

耗散功率

1.25 W

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

最小电流放大倍数(hFE)

40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE)

250

额定功率(Max)

1.25 W

直流电流增益(hFE)

250

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

封装参数

安装方式

Through Hole

引脚数

3

封装

TO-126-3

外形尺寸

长度

7.8 mm

宽度

2.7 mm

高度

10.8 mm

封装

TO-126-3

物理参数

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

其他

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

制造应用

音频, Audio

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

海关信息

ECCN代码

EAR99

香港进出口证

NLR


BD135 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图


afc6d528-615e-11ed-bcb6-b8ca3a6cb5c4.png

BD135 引脚图


afc6d529-615e-11ed-bcb6-b8ca3a6cb5c4.png

BD135 封装图


afc6d52a-615e-11ed-bcb6-b8ca3a6cb5c4.png

BD135 封装焊盘图


产品概述


NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

通用 NPN晶体管,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

得捷:TRANS NPN 45V 1.5A SOT32-3

欧时:### 通用 NPN 晶体管,STMicroelectronics

![http://china.rs-online.com/largeimages/R7140483-01.jpg](http://china.rs-online.com/largeimages/R7140483-01.jpg) ### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

立创商城:NPN 45V 1.5A

艾睿:Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

安富利:Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 3-Pin SOT-32 Tube

Chip1Stop:Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

TME:Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 15W; SOT32

Verical:Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Newark:# STMICROELECTRONICS  BD135  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE

儒卓力:**NPN TRANSISTOR 45V 1,5A 12,5W T **

Win Source:TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32

登录icspec成功后,会自动跳转查看全文
博客评论
还没有人评论,赶紧抢个沙发~
发表评论
说明:请文明发言,共建和谐网络,您的个人信息不会被公开显示。