STD25NF10LT4点击型号即可查看芯片规格书
STD25NF10LT4 中文资料规格参数
| 技术参数 | 额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 25.0 A | |
漏源极电阻 | 0.03 Ω | |
极性 | N-Channel | |
耗散功率 | 100 W | |
阈值电压 | 2.5 V | |
漏源极电压(Vds) | 100 V | |
漏源击穿电压 | 100 V | |
栅源击穿电压 | ±16.0 V | |
连续漏极电流(Ids) | 25.0 A | |
上升时间 | 40 ns | |
输入电容(Ciss) | 1710pF @25V(Vds) | |
额定功率(Max) | 100 W | |
下降时间 | 20 ns | |
工作温度(Max) | 175 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 100W (Tc) | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 | |
封装 | TO-252-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm | |
高度 | 2.4 mm | |
封装 | TO-252-3 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
STD25NF10LT4 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
STD25NF10LT4 引脚图
STD25NF10LT4 封装图
STD25NF10LT4 封装焊盘图
产品概述
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET晶体管，STMicroelectronics
得捷:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
立创商城:N沟道 100V 25A
欧时:STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
贸泽:MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
艾睿:Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
安富利:Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Chip1Stop:Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TME:Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK
Verical:Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Newark:# STMICROELECTRONICS STD25NF10LT4 MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V
儒卓力:**N-CH 100V 25A 35mOhm TO252-3 **
力源芯城:25A,100V,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Win Source:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
