【STD10NF10T4 PDF数据手册】_中文资料_(意法半导体 ST Microelectronics)

元器件信息   2022-11-11 09:19   232   0  

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STD10NF10T4 中文资料规格参数


技术参数

额定电压(DC)

100 V

额定电流

13.0 A

通道数

1

针脚数

3

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

50 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

13.0 A

上升时间

25 ns

输入电容(Ciss)

460pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

3

封装

TO-252-3

外形尺寸

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

封装

TO-252-3

物理参数

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

其他

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

制造应用

工业, 计算机和计算机周边, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Power Management, Communications & Networking, Industrial

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

海关信息

ECCN代码

EAR99


STD10NF10T4 引脚图 | 封装焊盘图


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STD10NF10T4 引脚图


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STD10NF10T4 封装焊盘图


产品概述


STMICROELECTRONICS  STD10NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET晶体管,STMicroelectronics

立创商城:N沟道 100V 13A

得捷:MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

欧时:STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD10NF10T4, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

贸泽:MOSFET N-Ch 100 Volt 10 Amp

e络盟:功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装

艾睿:As an alternative to traditional transistors, the STD10NF10T4 power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 50000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This device is made with stripfet ii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.

安富利:Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

富昌:N-Channel 100 V 0.13 Ω 15.3 nC Surface Mount STripFET II Power MosFet- TO-252

Chip1Stop:Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

TME:Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK

Verical:Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Newark:# STMICROELECTRONICS  STD10NF10T4..  MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 100 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V

儒卓力:**N-CH 100V 13A 130mOhm TO252-3 **

DeviceMart:MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

Win Source:MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

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