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BUV48A 中文资料规格参数
| 技术参数 | 额定电压(DC) | 450 V |
额定电流 | 15.0 A | |
额定功率 | 150 W | |
针脚数 | 3 | |
极性 | NPN | |
耗散功率 | 125 W | |
击穿电压(集电极-发射极) | 450 V | |
最小电流放大倍数(hFE) | 8 @8A, 5V | |
额定功率(Max) | 125 W | |
直流电流增益(hFE) | 8 | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | 65 ℃ | |
耗散功率(Max) | 125 W | |
| 封装参数 | 安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 | |
封装 | TO-247-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 15.75 mm |
宽度 | 5.15 mm | |
高度 | 20.15 mm | |
封装 | TO-247-3 | |
| 物理参数 | 材质 | Silicon |
工作温度 | 150℃ (TJ) | |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube | |
制造应用 | 电源管理, Power Management | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC标准 | No SVHC | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 |
BUV48A 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
BUV48A 引脚图
BUV48A 封装图
BUV48A 封装焊盘图
产品概述
STMICROELECTRONICS BUV48A 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 125 W, 15 A, 8 hFE
高电压晶体管，STMicroelectronics
### 双极晶体管，STMicroelectronics
STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
得捷:TRANS NPN 450V 15A TO247-3
立创商城:NPN 450V 15A
欧时:### 高电压晶体管，STMicroelectronics
### 双极晶体管，STMicroelectronics
STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
贸泽:Bipolar Transistors - BJT NPN High Volt Power
艾睿:Trans GP BJT NPN 450V 15A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Chip1Stop:Trans GP BJT NPN 450V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
TME:Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 15A; 125W; TO247-3
Verical:Trans GP BJT NPN 450V 15A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Newark:# STMICROELECTRONICS BUV48A Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 125 W, 15 A, 8 hFE
