【QRD1114 PDF数据手册】_中文资料_(安森美 ON Semiconductor)

元器件信息   2022-11-14 10:10   331   0  

QRD1114点击型号即可查看芯片规格书


芯片规格书搜索工具-icspec


QRD1114 中文资料规格参数


技术参数

正向电压

1.7 V

波长

940 nm

峰值波长

940 nm

耗散功率

100 mW

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

正向电流

50 mA

正向电流(Max)

50 mA

下降时间(Max)

50000 ns

上升时间(Max)

10000 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

100 mW

封装参数

安装方式

Through Hole

引脚数

4

封装

MFP-4

外形尺寸

封装

MFP-4

其他

产品生命周期

Active

包装方式

Bag

制造应用

Automation & Process Control, Building Automation, Medical, Test & Measurement, 测试, Medical Electroni, Test and Measurement, Automation, 自动化与过程控制, 建筑自动化, 医用

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

海关信息

ECCN代码

EAR99


QRD1114 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图


76fc63a6-63c1-11ed-bcb8-b8ca3a6cb5c4.png

QRD1114 引脚图


76fc63a7-63c1-11ed-bcb8-b8ca3a6cb5c4.png

QRD1114 封装图


76fc63a8-63c1-11ed-bcb8-b8ca3a6cb5c4.png

QRD1114 封装焊盘图


产品概述


QRD1114 袋装

反射 光学传感器 0.050"(1.27mm) 径向 - 4 引线

得捷:SENSR OPTO TRANS 1.27MM REFL PCB

立创商城:QRD1114: 反光物体传感器

欧时:4L REFLECT SNSR

艾睿:Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin Bag

安富利:Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin Bulk

Chip1Stop:Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin Bulk

登录icspec成功后,会自动跳转查看全文
博客评论
还没有人评论,赶紧抢个沙发~
发表评论
说明:请文明发言,共建和谐网络,您的个人信息不会被公开显示。