【VN2222LLG PDF数据手册】_中文资料_(安森美 ON Semiconductor)

元器件信息   2022-11-14 10:10   276   0  

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VN2222LLG 中文资料规格参数


技术参数

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

150 mA

针脚数

3

漏源极电阻

7.5 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

400 mW

阈值电压

2.5 V

输入电容

60.0 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

150 mA

输入电容(Ciss)

60pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

400 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400mW (Ta)

封装参数

安装方式

Through Hole

引脚数

3

封装

TO-92-3

外形尺寸

长度

4.45 mm

宽度

4.19 mm

高度

4.32 mm

封装

TO-92-3

物理参数

工作温度

-55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2018/01/15

海关信息

ECCN代码

EAR99


VN2222LLG 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图


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VN2222LLG 引脚图


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VN2222LLG 封装图


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VN2222LLG 封装焊盘图


产品概述


ON SEMICONDUCTOR  VN2222LLG  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 60V 150mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

得捷:MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3

贸泽:MOSFET 60V 150mA N-Channel

e络盟:晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

艾睿:Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 Box

Allied Electronics:MOSFET; N-Ch; VDSS 60VDC; RDS(ON) 7.5 Ohms; ID 150mA; TO-92; PD 400mW; VGS +/-20VDC; -55

安富利:Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 Box

力源芯城:小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

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