MJD253T4G点击型号即可查看芯片规格书
MJD253T4G 中文资料规格参数
| 技术参数 | 频率 | 40 MHz |
额定电压(DC) | -100 V | |
额定电流 | -4.00 A | |
无卤素状态 | Halogen Free | |
针脚数 | 3 | |
极性 | PNP, P-Channel | |
耗散功率 | 12.5 W | |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V | |
集电极最大允许电流 | 4A | |
最小电流放大倍数(hFE) | 40 @200mA, 1V | |
最大电流放大倍数(hFE) | 180 | |
额定功率(Max) | 1.4 W | |
直流电流增益(hFE) | 40 | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -65 ℃ | |
耗散功率(Max) | 1400 mW | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 | |
封装 | TO-252-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm | |
高度 | 2.38 mm | |
封装 | TO-252-3 | |
| 物理参数 | 材质 | Silicon |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
香港进出口证 | NLR |
MJD253T4G 引脚图 | 封装焊盘图
MJD253T4G 引脚图
MJD253T4G 封装焊盘图
产品概述
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
立创商城:PNP 100V 4A
得捷:TRANS PNP 100V 4A DPAK
欧时:ON Semiconductor MJD253T4G , PNP 晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE:15, 10 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
e络盟:单晶体管 双极, PNP, 100 V, 40 MHz, 12.5 W, -4 A, 15 hFE
艾睿:Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
安富利:Trans GP BJT PNP 100V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
富昌:MJD Series 100 V 4 A PNP Complementary Silicon Plastic Power Transistor TO-252-3
Chip1Stop:Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical:Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Newark:# ON SEMICONDUCTOR MJD253T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 40 MHz, 12.5 W, -4 A, 40 hFE
Win Source:TRANS PNP 100V 4A DPAK
DeviceMart:TRANS POWER PNP 4A 100V DPAK
