NJW3281G点击型号即可查看芯片规格书
NJW3281G 中文资料规格参数
| 技术参数 | 针脚数 | 3 |
极性 | NPN | |
耗散功率 | 200 W | |
增益频宽积 | 30 MHz | |
击穿电压(集电极-发射极) | 250 V | |
集电极最大允许电流 | 15A | |
最小电流放大倍数(hFE) | 75 @3A, 5V | |
最大电流放大倍数(hFE) | 75 | |
额定功率(Max) | 200 W | |
直流电流增益(hFE) | 45 | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -65 ℃ | |
耗散功率(Max) | 200000 mW | |
| 封装参数 | 安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 | |
封装 | TO-3-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 15.8 mm |
宽度 | 5 mm | |
高度 | 20.1 mm | |
封装 | TO-3-3 | |
| 物理参数 | 材质 | Silicon |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube | |
制造应用 | High-fidelity consumer audio products | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC版本 | 2017/07/07 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
NJW3281G 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
NJW3281G 引脚图
NJW3281G 封装图
NJW3281G 封装焊盘图
产品概述
NPN 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
NPN 功率晶体管，ON Semiconductor
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
得捷:TRANS NPN 250V 15A TO3P-3L
立创商城:NPN 250V 15A
欧时:ON Semiconductor NJW3281G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=250 V, HFE:45, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
贸泽:Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO
e络盟:Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 30 MHz, 200 W, 15 A, 45 hFE
艾睿:Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Allied Electronics:ON Semi NJW3281G NPN Bipolar Transistor; 15 A; 250 V; 3-Pin TO-3P
安富利:Trans GP BJT NPN 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
Chip1Stop:Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Newark:Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 250 V, 30 MHz, 200 W, 15 A, 45 hFE
DeviceMart:TRANS NPN BIPOLAR 15A 250V TO-3P
