MJB44H11T4G点击型号即可查看芯片规格书
MJB44H11T4G 中文资料规格参数
| 技术参数 | 频率 | 50 MHz |
额定电压(DC) | 80.0 V | |
额定电流 | 10.0 A | |
针脚数 | 3 | |
极性 | NPN, PNP | |
耗散功率 | 50 W | |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V | |
集电极最大允许电流 | 10A | |
最小电流放大倍数(hFE) | 40 @4A, 1V | |
额定功率(Max) | 2 W | |
直流电流增益(hFE) | 40 | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 2000 mW | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 | |
封装 | TO-263-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 10.29 mm |
宽度 | 9.65 mm | |
高度 | 4.83 mm | |
封装 | TO-263-3 | |
| 物理参数 | 材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC标准 | No SVHC | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
MJB44H11T4G 引脚图 | 封装焊盘图
MJB44H11T4G 引脚图
MJB44H11T4G 封装焊盘图
产品概述
ON SEMICONDUCTOR MJB44H11T4G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 50 W, 10 A, 40 hFE
NPN 功率晶体管，ON Semiconductor
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
立创商城:NPN 80V 10A
得捷:TRANS NPN 80V 10A D2PAK
欧时:### NPN 功率晶体管，ON Semiconductor
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### 双极性晶体管，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
贸泽:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 50W NPN
e络盟:单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 50 W, 10 A, 40 hFE
艾睿:Implement this versatile NPN MJB44H11T4G GP BJT from ON Semiconductor into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Allied Electronics:ON Semi MJB44H11T4G NPN Bipolar Transistor; 10 A; 80 V; 3-Pin D2PAK
安富利:Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Chip1Stop:Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical:Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Newark:# ON SEMICONDUCTOR MJB44H11T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 50 MHz, 50 W, 10 A, 40 hFE
DeviceMart:TRANS PWR NPN 10A 80V D2PAK-3
Win Source:TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
