FDV305N点击型号即可查看芯片规格书
FDV305N 中文资料规格参数
| 技术参数 | 针脚数 | 3 |
漏源极电阻 | 0.22 Ω | |
耗散功率 | 0.35 W | |
阈值电压 | 1 V | |
漏源极电压(Vds) | 20 V | |
上升时间 | 7 ns | |
输入电容(Ciss) | 109pF @10V(Vds) | |
额定功率(Max) | 350 mW | |
下降时间 | 1.4 ns | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 350 mW | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 | |
封装 | SOT-23-3 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm | |
高度 | 0.93 mm | |
封装 | SOT-23-3 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
制造应用 | 工业, 电源管理 | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free |
FDV305N 引脚图 | 封装焊盘图
FDV305N 引脚图
FDV305N 封装焊盘图
产品概述
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDV305N, 900 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor
### MOSFET晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
立创商城:FDV305N: N 沟道，PowerTrench MOSFET，20V，0.9A，220mΩ
欧时:ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDV305N, 900 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
得捷:MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
e络盟:功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
