IRS2127STRPBF点击型号即可查看芯片规格书
IRS2127STRPBF 中文资料规格参数
| 技术参数 | 上升/下降时间 | 80ns, 40ns |
输出接口数 | 1 | |
输出电流 | 200 mA | |
针脚数 | 8 | |
耗散功率 | 625 mW | |
上升时间 | 130 ns | |
下降时间 | 65 ns | |
下降时间(Max) | 65 ns | |
上升时间(Max) | 130 ns | |
工作温度(Max) | 125 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
耗散功率(Max) | 625 mW | |
电源电压 | 12V ~ 20V | |
电源电压(Max) | 20 V | |
电源电压(Min) | 10 V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | SOIC-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm | |
高度 | 1.5 mm | |
封装 | SOIC-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
IRS2127STRPBF 电路图
IRS2127STRPBF 电路图
产品概述
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
.Floating channel designed for bootstrap operation
.Fully operational to +600 V
.Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
.Application-specific gate drive range:
.Motor Drive: 12 V to 20 V (IRS2127/IRS2128)
立创商城:高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
得捷:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
欧时:Infineon IRS2127STRPBF
贸泽:Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
艾睿:Driver 600V 0.6A 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
安富利:MOSFET DRVR 600V 0.6A 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
Verical:Driver 600V 0.6A 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
