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IRS2103SPBF 中文资料规格参数
| 技术参数 | 电源电压(DC) | 10.0V (min) |
额定功率 | 625 mW | |
上升/下降时间 | 70ns, 35ns | |
输出接口数 | 2 | |
输出电压 | 600 V | |
输出电流 | 290.600 mA | |
通道数 | 2 | |
耗散功率 | 625 mW | |
上升时间 | 70 ns | |
下降时间 | 35 ns | |
下降时间(Max) | 90 ns | |
上升时间(Max) | 170 ns | |
工作温度(Max) | 125 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
耗散功率(Max) | 625 mW | |
电源电压 | 10V ~ 20V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | SOIC-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm | |
高度 | 1.5 mm | |
封装 | SOIC-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
IRS2103SPBF 电路图
IRS2103SPBF 电路图
产品概述
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用半桥配置。
得捷:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
立创商城:半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
欧时:Infineon IRS2103SPBF 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.6A, 10 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装
贸泽:门驱动器 HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns
艾睿:Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
安富利:MOSFET DRVR 600V 0.6A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Chip1Stop:Driver 600V 0.6A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
TME:Driver; high-/low-side switch, gate driver; -600÷290mA; 625mW
Verical:Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
儒卓力:**Half Bridge Driver **
