BSC030P03NS3GAUMA1点击型号即可查看芯片规格书
BSC030P03NS3GAUMA1 中文资料规格参数
| 技术参数 | 额定功率 | 125 W |
通道数 | 1 | |
针脚数 | 8 | |
漏源极电阻 | 0.0023 Ω | |
极性 | P-Channel | |
耗散功率 | 125 W | |
阈值电压 | 2.5 V | |
漏源极电压(Vds) | 30 V | |
漏源击穿电压 | 30 V | |
连续漏极电流(Ids) | 25.4A | |
上升时间 | 105 ns | |
输入电容(Ciss) | 10500pF @15V(Vds) | |
下降时间 | 33 ns | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 125 W | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | TDSON-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 5.9 mm |
宽度 | 5.15 mm | |
高度 | 1.27 mm | |
封装 | TDSON-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
制造应用 | 消费电子产品, Industrial, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Power Management, 电源管理, Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Motor Drive & C | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC标准 | No SVHC | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 |
BSC030P03NS3GAUMA1 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
BSC030P03NS3GAUMA1 引脚图
BSC030P03NS3GAUMA1 封装图
BSC030P03NS3GAUMA1 封装焊盘图
产品概述
INFINEON BSC030P03NS3GAUMA1 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, TDSON
InfineonOptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
立创商城:P沟道 30V 25.4A 100A
欧时:Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC030P03NS3GAUMA1, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
贸泽:MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
e络盟:晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0023 ohm, -10 V, -2.5 V
艾睿:Amplify electronic signals and switch between them with the help of Infineon Technologies&s; BSC030P03NS3GAUMA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2500 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos technology.
安富利:Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON T/R
TME:Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Verical:Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:# INFINEON BSC030P03NS3GAUMA1 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, TDSON
