IRS2153DSPBF点击型号即可查看芯片规格书
IRS2153DSPBF 中文资料规格参数
| 技术参数 | 额定功率 | 625 mW |
上升/下降时间 | 120ns, 50ns | |
输出接口数 | 2 | |
输出电压 | 600 V | |
输出电流 | 180.260 mA | |
通道数 | 2 | |
耗散功率 | 625 mW | |
下降时间(Max) | 80 ns | |
上升时间(Max) | 220 ns | |
工作温度(Max) | 125 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
耗散功率(Max) | 625 mW | |
电源电压 | 10V ~ 15.4V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | SOIC-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm | |
高度 | 1.5 mm | |
封装 | SOIC-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
IRS2153DSPBF 电路图
IRS2153DSPBF 电路图
产品概述
PWM（脉冲宽度调制）- FF（固定频率）IC，Infineon ### 交流-直流功率转换，Infineon
自振栅极驱动器 IC，Infineon
### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
得捷:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
欧时:Infineon IRS2153DSPBF 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.26A, 10.1 → 16.8 V电源, 8引脚 SOIC封装
立创商城:半桥 MOSFET 灌:180mA 拉:260mA
艾睿:Driver 600V 0.26A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
安富利:MOSFET DRVR 600V 0.26A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
TME:Driver; bootstrap, dead time, front end oscillator; -260÷180mA
Verical:Driver 600V 0.26A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
儒卓力:**H-BridgeDrV 600V 260mA SO8 SMD **
