IRS2011STRPBF点击型号即可查看芯片规格书
IRS2011STRPBF 中文资料规格参数
| 技术参数 | 上升/下降时间 | 25ns, 15ns |
输出接口数 | 2 | |
输出电流 | 1 A | |
针脚数 | 8 | |
耗散功率 | 625 mW | |
静态电流 | 200 µA | |
上升时间 | 25 ns | |
下降时间 | 15 ns | |
下降时间(Max) | 35 ns | |
上升时间(Max) | 40 ns | |
工作温度(Max) | 125 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
耗散功率(Max) | 625 mW | |
电源电压 | 10V ~ 20V | |
电源电压(Max) | 20 V | |
电源电压(Min) | 10 V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | SOIC-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm | |
高度 | 1.5 mm | |
封装 | SOIC-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
IRS2011STRPBF 电路图
IRS2011STRPBF 电路图
产品概述
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
.Floating gate driver designed for bootstrap operation
.Fully operational to +200 V
.Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
.Gate drive supply range from 10 V to 20 V
.Independent low-side and high-side channels
.Input logic HIN/LIN active high
.Undervoltage lockout for both channels
.3.3 V and 5 V input logic compatible
.CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
.Matched propagation delay for both channels
