IRS2186STRPBF点击型号即可查看芯片规格书
IRS2186STRPBF 中文资料规格参数
| 技术参数 | 电源电压(DC) | 10.0V (min) |
工作电压 | 10V ~ 20V | |
上升/下降时间 | 22ns, 18ns | |
输出接口数 | 2 | |
针脚数 | 8 | |
耗散功率 | 625 mW | |
上升时间 | 38ns (Max) | |
下降时间 | 30ns (Max) | |
下降时间(Max) | 30 ns | |
上升时间(Max) | 38 ns | |
工作温度(Max) | 125 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
耗散功率(Max) | 625 mW | |
电源电压 | 10V ~ 20V | |
电源电压(Max) | 20 V | |
电源电压(Min) | 10 V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | SOIC-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 5 mm |
封装 | SOIC-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
IRS2186STRPBF 电路图
IRS2186STRPBF 电路图
产品概述
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
得捷:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
立创商城:低边 高边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A
欧时:Infineon IRS2186STRPBF
艾睿:Driver 600V 4A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:HIGH AND LOW SIDE DRIVER; 8-LEAD SOIC PACKAGE
安富利:MOSFET DRVR 600V 4A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
Chip1Stop:Driver 600V 4A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
Newark:# INFINEON IRS2186STRPBF MOSFET Driver Dual, Low & High Side, 10V-20V supply, 4A peak out, SOIC-8
Win Source:IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 8-SOIC
