IR21814STRPBF点击型号即可查看芯片规格书
IR21814STRPBF 中文资料规格参数
| 技术参数 | 上升/下降时间 | 40ns, 20ns |
输出接口数 | 2 | |
耗散功率 | 1000 mw | |
下降时间(Max) | 35 ns | |
上升时间(Max) | 60 ns | |
工作温度(Max) | 125 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
耗散功率(Max) | 1000 mW | |
电源电压 | 10V ~ 20V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 14 | |
封装 | SOIC-14 | |
| 外形尺寸 | 封装 | SOIC-14 |
| 物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free |
IR21814STRPBF 电路图
IR21814STRPBF 电路图
产品概述
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
.Floating channel designed for bootstrap operation
.Fully operational to +600 V
.Tolerant to negative transient voltage
.dV/dt immune
.Gate drive supply range from 10 to 20 V
.Undervoltage lockout for both channels
.3.3 V and 5 V input logic compatible
.Matched propagation delay for both channels
.Logic and power ground +/- 5 V offset
.Lower di/dt gate driver for better noise immunity
.Output source/sink current capability 1.4A/1.8A
