M29W800DT70N6E 中文资料规格参数
| 技术参数 | 电源电压(DC) | 2.70V (min) |
针脚数 | 48 | |
位数 | 8, 16 | |
存取时间 | 70 ns | |
内存容量 | 1000000 B | |
存取时间(Max) | 70 ns | |
工作温度(Max) | 85 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
电源电压 | 2.7V ~ 3.6V | |
电源电压(Max) | 3.6 V | |
电源电压(Min) | 2.7 V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 48 | |
封装 | TSOP-48 | |
| 外形尺寸 | 封装 | TSOP-48 |
| 物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Each | |
制造应用 | 通信与网络, Communications & Networking | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC标准 | No SVHC | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 |
M29W800DT70N6E 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
M29W800DT70N6E 引脚图
M29W800DT70N6E 封装图
M29W800DT70N6E 封装焊盘图
产品概述
MICRON M29W800DT70N6E 闪存, 引导块, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
M29W800DT70N6E是一款8Mb 3V电源非易失性闪存. 读取, 擦除和重新编程操作可以使用2.7至3.6V单电压执行. 上电时, 存储器默认为读取模式, 可以采用与ROM或EPROM相同的方式读取. 存储器被分成可以独立擦除的块, 因此可以在擦除旧数据时保留有效数据. 可以单独保护每个块, 以防止意外写入或擦除命令修改存储器. 编程和擦除命令被写入存储器的命令接口. 片上编程/擦除控制器通过用于执行存储器内容所需的所有操作, 简化了编程或擦除存储器的过程. 可以检测编程或擦除操作是否结束, 并识别任何错误条件. 控制存储器所需的命令集与符合JEDEC标准.
.编程/擦除控制器 - 嵌入式字节/字编程算法
.解锁旁路编程命令 - 更快的批量编程
.临时扇区无保护模式
.低功耗 - 待机和自动待机
.每个扇区100000次编程/擦除周期
