AOS AOZ9250DI电池保护IC

AOZ9250DI点击型号即可查看芯片规格书

AOZ1375DI-02点击型号即可查看芯片规格书

芯片规格书搜索工具-icspec

AOZ9250DI是具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC。该器件包括精确的电压检测器和延迟电路，适用于保护单节锂离子/锂聚合物可充电电池组免受过充电，过放电和过电流情况的影响。

AOZ9250DI采用2mm x 4mm 6引脚DFN封装，额定温度范围为-40°C~+85°C。

特性：

• 高精度电压检测电路

• 过充电检测精度：±25mV（+ 25°C），±45mV（-10°C~+ 60°C）

• 过充电释放精度：±40mV

• 过放电检测精度：±100mV

• 过放电解除精度：±100mV

• 放电过电流检测精度：±10mV

• 充电过电流检测精度：±15mV

• 内部检测延迟时间准确度为±20％（无需外部电容器）

• 充电器连接引脚可承受高达24V的电压

• 宽工作温度范围：-40°C~±85°C

• 低电流消耗：+ 25°C时，工作模式下为2.8uA（典型值），最大为5.0uA（最大值）

应用：

锂离子充电电池组；锂聚合物可充电电池组

典型应用电路：