AOZ9250DI点击型号即可查看芯片规格书
AOZ1375DI-02点击型号即可查看芯片规格书
AOZ9250DI是具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC。该器件包括精确的电压检测器和延迟电路，适用于保护单节锂离子/锂聚合物可充电电池组免受过充电，过放电和过电流情况的影响。
AOZ9250DI采用2mm x 4mm 6引脚DFN封装，额定温度范围为-40°C~+85°C。
特性：
高精度电压检测电路
过充电检测精度：±25mV（+ 25°C），±45mV（-10°C~+ 60°C）
过充电释放精度：±40mV
过放电检测精度：±100mV
过放电解除精度：±100mV
放电过电流检测精度：±10mV
充电过电流检测精度：±15mV
内部检测延迟时间准确度为±20％（无需外部电容器）
充电器连接引脚可承受高达24V的电压
宽工作温度范围：-40°C~±85°C
低电流消耗：+ 25°C时，工作模式下为2.8uA（典型值），最大为5.0uA（最大值）
应用：
锂离子充电电池组；锂聚合物可充电电池组
典型应用电路：
