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该功率MOSFET使用Truesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。 这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
特性：
3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V
低栅极电荷（典型值为16nC）
快速切换
经过100％雪崩测试
改进的dv/dt功能
主要参数：
应用：
高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正
