VBUS05B1-SD0-G4-08点击型号即可查看芯片规格书
威世 VBUS05B1-SD0-G4-08 单线 ESD 保护二极管是双向对称（BiSy）ESD 保护器件，能够钳位正负过压瞬变，使之接地。VBUS05B1-SD0-G4-08 将信号或数据线与地面相连接，在额定工作电压范围内实现高度隔离（低漏电流、低电容）。短引线和小尺寸的 CLP0603 封装确保线路感抗 非常低，使钳位 ESD 尖峰等快速瞬态时 实现最小的过冲或负过冲。
推荐应用：
VBUS05B1-SD0-G4-08 具有非常低的电容，可用于HDMI、USB 3.0 或 Thunderbolt 之类的高速数据端口
特点：
· 超紧密 CLP0603 封装
· 封装高度低 < 0.3mm
· 单线 ESD 保护
· 工作电压范围± 5.5V
· 低漏电流 <0.1μA
· 超低负载电容 CD= 0.29pF（典型值）
· ±16kV 接触放电
· ESD 保护符合 IEC 61000-4-2 标准
· ±16kV 空气放电
· 引线镀层：Au (e4)
· 引线材料：镍
· 背面涂层
参数表：
类型 | 齐纳 | 电源线路保护 | 无 |
双向通道 | 1 | 应用 | 通用 |
电压 - 反向关态（典型值） | 5.5V（最大） | 不同频率时的电容 | 0.29pF @ 1MHz |
电压 - 击穿（最小值） | 6V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp | 18V | 安装类型 | 表面贴装 |
电流 - 峰值脉冲（10/1000µs） | 2.5A（8/20µs） | 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
功率 - 峰值脉冲 | 45W | 供应商器件封装 | CLP0603 |
方案实例：
USB3.0的电路保护方案(来源于主流官网，仅供参考）
USB 3.0不再支持总线供电集线器而仅支持自供电集线器。在USB 3.0应用中，需要一个电源来为集线器的所有端口供电。如果在集线器的输入端使用一个直流电源连接器，那么就必须安装一个电路保护器件来保护集线器免受过压事件的损害，如未稳流或错误电源、反向电压和瞬态电压。
一个综合的USB 3.0 电路保护方案图
USB 3.0的SuperSpeed接口与USB 2.0相比，要求更低电容值的ESD保护器件。增加极低电容值的保护器件可以帮助最小化插入损耗，以满足USB 3.0的眼图要求。
与大多数传统的MLV(多层变阻器)或TVS(瞬态电压抑制器)二极管技术相比，VBUS05B1-SD0-G4-08可提供更低的电容值，而且其低触发和低箝位电压也有助于保护敏感的电子元件。
在电路保护方案中增加VBUS05B1-SD0-G4-08器件可提升保护级别，从而满足IEC61000-4-2规范要求。该规范规定接触模式的ESD测试标准是8kV(典型)/15kV(最大)，空气放电模式的ESD测试标准是15kV(典型)/25kV(最大）。
