SI2301CDS-T1-GE3点击型号即可查看芯片规格书
US1M-E3/61T点击型号即可查看芯片规格书
•其漏极击穿电压为 20V V (DS) ， 100% 经过栅极电阻 (R g) 测试。
•针对 1MHz 频率阻测试，电阻值为 6Ω 。工作结温和存储温度为 -55ºC 至 150ºC 。
•超快的反向恢复时间，低开关损耗，高效率，高前锋激增能力。
•AEC-Q101 合格可用
图片信息
SI2301CDS-T1-GE3
US1M-E3/61T
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | 最小工作温度: | - 55 C |
| 通道数量: | 1 Channel | 最大工作温度: | + 150 C |
| 晶体管极性: | P-Channel | 配置: | Single |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 20 V | Pd-功率耗散: | 1.6 W |
| Id-连续漏极电流: | - 3.1 A | 典型关闭延迟时间: | 30 ns |
| Rds On-漏源导通电阻: | 112 mOhms | 典型接通延迟时间: | 11 ns |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | - 0.4 V | 正向跨导 - 最小值: | 9.5 S |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 4.5 V | 下降时间: | 10 ns |
| Qg-栅极电荷: | 10 nC |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） | 1000V |
| 电流 - 平均整流（Io） | 1A |
| 不同 If 时的电压 - 正向（Vf | 1.7V @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间（trr） | 75ns |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 10μA @ 1000V |
| 不同 Vr，F 时的电容 | 10pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 供应商器件封装 | DO-214AC（SMA） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
目前，逆变器的已经在很多领域应用到，比如电脑、电视、洗衣机、空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、录像机、按摩器、风扇、照明等等。
逆变器是一种能够进行电能转换的器件，当输入的是直流电是，输出就会变成交流电，而且一般是为 220v50HZ 正弦或方波。它与应急电源的工作原理是相反的，逆变器一般由控制逻辑、滤波电路和逆变桥组成。
在家电应用中，最主要的就是高效率和节能，三相无刷直流电机正是因为具有效率高、尺寸小的优点，被广泛的应用在家电设备及其他很多应用中。除此之外，由于还将机械换向装置替换成电子换向器，三相无刷电机进而被认为可靠性比原来更高了。
标准的三相功率级 (power stage) 被用来驱动一个三相无刷直流电机，如附图所示 功率级产生一个电场，为了使电机很好地工作，这个电场必须保持与转子磁场之间的角度接近 90 °。六步序列控制产生6 个定子磁场向量，这些向量必须在一个指定的转子位置下改变。霍尔效应传感器扫描转子的位置。为了向转子提供6 个步进电流，功率级利用6 个可以按不同的特定序列切换的 功率 MOSFET---- Vishay（ 威世 ）SI2301CDS-T1-GE3 功率型 MOSFET 管
下面解释一个常用的切换模式，可提供 6 个步进电流 :
MOSFET Q1 、 Q3 和 Q5 高频 (HF) 切换， Q2 、 Q4 和 Q6 低频 (LF) 切换。当一个低频 MOSFET 处于开状态，而且一个高频 MOSFET 处于切换状态时，就会产生一个功率级。
步骤 1：
功率级同时给两个相位供电，而对第三个相位未供电。假设供电相位为 L1 、 L2 ， L3 未供电。在这种情况下， MOSFET Q1 和 Q2 处于导通状态，电流流经 Q1 、 L1 、 L2 和 Q4 。
步骤 2：
MOSFET Q1 关断。因为电感不能突然中断电流，它会产生额外电压，直到体二极管 D2 被直接偏置，并允许续流电流流过。续流电流的路径为 D2 、 L1 、 L2 和 Q4 。
步骤 3：
Q1 打开，体二极管 D2 突然反偏置。 Q1 上总的电流为供电电流与二极管 D2 上的恢复电流之和.显示出其中的体 - 漏二极管。电流流入到体 - 漏二极管 D2( 见附图 ) ，该二极管被正向偏置，少数载流子注入到二极管的区和 P 区。
当 MOSFET Q1 导通时，二极管 D2 被反向偏置， N 区的少数载流子进入 P+ 体区，反之亦然。这种快速转移导致大量的电流流经二极管，从 N-epi 到 P+ 区，即从漏极到源极。电感 L1 对于流经 Q2 和 Q1 的尖峰电流表现出高阻抗。 Q1 表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。
Vishay 超快恢复整流二极管 US1M-E3/61T可以很好的改善在这些特殊应用中体二极管的性能，从而使电路设计得到保障。
