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Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术，该技术根据超结原理 (SJ) 设计，并由 Infineon率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验，并兼具高度的创新性。它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时，丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便，散热效果也更佳。这些功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时提供坚固的超高速体二极管。
特性：
FOM Rdson*Qg和EOS极低
非常高的换向耐用性
多种封装
Vds范围：500V~950V
FET类型：N-Channe
应用：
适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段
