VO3120-X007T点击型号即可查看芯片规格书
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VO3120包括一个LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光学耦合。 该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的IGBT。对于额定功率更高的IGBT，VO3120可用于驱动离散功率级，以驱动IGBT栅极。
特征：
最小峰值输出电流：2.5A
VCM = 1500 V时最小25 kV /μs的最小共模抑制（CMR）
最大电源电流ICC=2.5mA
迟滞欠压锁定（UVLO）
VCC范围：15V~32 V
最大脉冲宽度失真：0.2μs
工作温度范围：-40°C至110°C
最大低电平输出电压（VOL）：0.5V
应用：
隔离式IGBT / MOSFET栅极驱动器；交流和无刷直流电动机驱动器；电磁炉顶；工业变频器；开关电源（SMPS）；不间断电源（UPS）
