MT25QL128ABA1ESE-0SIT中文规格书PDF

元器件信息   2022-10-14 18:11   425   0  

MT25QL128ABA1ESE-0SIT 点击型号即可查看芯片规格书

描述

MT25QL128ABA1ESE-0SIT是一款3V、多I/O串行NOR闪存,具有SPI兼容的串行总线接口、就地执行(XIP)功能、增强的写保护技术和扩展的地址访问。所有STR协议的时钟频率可以达到133MHz,所有DTR协议的时钟频率可以达到90MHz,双/四I/O指令将吞吐量提高到90MB/s。此版本具有128Mb(16MB)的密度,并作为单个芯片堆叠。配置选项包括易失性和非易失性存储器,以及主存储器之外的专用64字节OTP部分,可访问且用户可锁定。它支持批量擦除、64KB统一粒度的扇区擦除以及4KB和32KB粒度的子扇区擦除。

产品概述

型号
MT25QL128ABA1ESE-0SIT
制造商
美光科技公司
分类
集成电路(IC),记忆
描述
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
打包

工作温度
-40°C~85°C(TA)
安装类型表面贴装
包装/案例8-SOIC(0.209英寸,5.30毫米宽)
供应商设备包8-SO
基本产品编号MT25QL128

产品图片

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

规格参数

产品状态在售
内存类型非挥发性
内存格式闪光
技术闪光灯-NOR
内存大小128Mb(16Mx8)
内存接口SPI
时钟频率133兆赫
写周期时间-字、页8毫秒、2.8毫秒
电压-电源2.7V~3.6V
密度128MB
最大电源电压3.6V
内存大小16MB
最小电源电压2.7V
数据格式V.34
界面串行
电压-电源3.3V~5V
安装类型印刷电路板
使用区域欧洲、北美
数据速率33.6K
工厂交货时间6周
安装类型表面贴装
包装/案例8-SOIC(0.209,5.30mm宽)
表面贴装是的
工作温度-40°C~85°CTA
打包
湿度敏感度(MSL)3(168小时)
终止次数8
ECCN代码3A991.B.1.A
高温超导码8542.32.00.51
技术闪光灯-NOR
电压-电源2.7V~3.6V
终端位置双重的
峰值回流温度(Cel)260
功能数量1
电源电压3V
终端间距1.27毫米
Time@Peak Reflow Temperature-Max(s)30
JESD-30代码S-PDSO-G8
最大电源电压 (Vsup)3.6V
电源电压最小值 (Vsup)2.7V
内存大小128Mb16Mx8
内存类型非挥发性
操作模式同步
时钟频率133MHz
内存格式闪光
内存接口SPI
组织128MX1
内存宽度1
写周期时间- 字、页8毫秒、2.8毫秒
内存密度134217728位
并行/串行串行
编程电压3V
坐高(最大)2.16mm
长度5.285毫米
宽度5.285毫米

环境与出口分类

属性描述
RoHS状态符合ROHS3标准
湿度敏感度(MSL)3(168小时)
REACH状态REACH不受影响
ECCN3A991B1A

特点

  • 玻璃钝化模具结构

  • 低正向压降

  • 高电流能力

  • 高可靠性

  • 高浪涌电流能力

  • 印刷电路板的理想选择

引脚图

CAD模型

MT25QL128ABA1ESE-0SIT符

MT25QL128ABA1ESE-0SIT符号

MT25QL128ABA1ESE-0SIT焊垫

MT25QL128ABA1ESE-0SIT焊垫

MT25QL128ABA1ESE-0SIT 3D模型

MT25QL128ABA1ESE-0SIT 3D模型

封装

MT25QL128ABA1ESE-0SIT封装

MT25QL128ABA1ESE-0SIT封装

替代型号

产品型号制造商品名描述
M25P80-VMW6G镁光Flash芯片闪存,低电压,8Mbit,1Mx8位,75MHz,串行,SPI,WSOIC,8引脚
M25P16-VMW6G镁光Flash芯片闪存,16Mbit,2Mx8位,75MHz,串行,SPI,WSOIC,8引脚

产品制造商介绍

Microchip Technology股份有限公司是一家美国上市公司,生产微控制器、混合信号、模拟和闪存IP集成电路。其产品包括微控制器(PIC、dsPIC、AVR和SAM)、串行EEPROM设备、串行SRAM设备、嵌入式安全设备、射频(RF)设备、热、功率和电池管理模拟设备,以及线性、接口和无线产品。

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