L6375S点击型号即可查看芯片规格书
特征
0.5A输出电流
8V至35V电源电压范围
内部限流
热关机
开放接地保护
内部负电压钳位，快速消磁
大共模差分输入
范围和阈值滞后
滞后欠压闭锁
空载检测
两个诊断输出
输出状态LED驱动器
无耗散短路保护
抗突发瞬态（IEC 61000-4-4）
ESD保护（人体模型±2kV）
说明
L6375S是一款单片智能电源多功率BCD技术中的开关，用于驱动有控制输出的感应或电阻负载电压转换率和短路保护。内部箝位二极管使快速感应负载的消磁。诊断CPU反馈和电气的广泛使用保护使这个装置非常坚固特别适用于工业自动化应用。
方框图和引脚说明
电气特性
（VS=24V；TJ=-25至+125°C，除非另有规定）
电气特性（续）
（VS=24V；TJ=-25至+125°C，除非另有规定）
开关波形
输入段
宽电压范围高噪声单端输入TTL/CMOS免疫性（由于内置迟滞）是可用的。
过热保护（OVT）
芯片上的过温保护在极端条件。当温度-在芯片的中心部分测量超过Tmax=150oC（典型值），设备关闭，DIAG2输出变为低。芯片温度恢复正常工作（通常在几秒钟后）低于Tmax-Thys=130℃（典型值）。磁滞避免是间歇性的行为发生。
欠压保护（UV）
电源电压预计在8到35V之间。在这个范围内，设备工作正确地。为了避免任何故障，电源电压被连续监控提供欠压保护。当Vs低于Vsth Vshys时（通常为7.5 V，见图1）输出功率MOS关闭，DIAG1和DIAG2（见诊断真值表）。一旦Vs超过Vsth，则恢复正常操作。迟滞行为防止在低电源电压下间歇性工作。
过流运行
为了实现短路保护，输出功率MOS被线性驱动限制Isc输出电流的模式（1.1A典型值）。此条件（电流限制至Isc值）持续一吨时间间隔，可通过电容器（Cdon）进行设置按以下公式连接到ON延迟引脚：吨=1.28微秒/pF对于50pF<Cdon<2nF在时间间隔结束后，输出功率MOS关闭Toff时间间隔时间：Toff=64吨。
当Toff间隔也已过时，输出功率MOS被导通。此时此刻最终可能会出现两种情况
（a） 过载仍然存在，然后输出功率MOS再次被驱动线性模式（限制ISC的输出电流）为另一吨，开始新的循环，或
（b） 过载消除过载条件，输出功率MOS为no在线性模式下行驶更长时间。所有这些情况都出现在DIAG2上销（见图2）。我们称这种独特的特性为非耗散性短路保护，它确保了即使在永久过载条件下也能安全运行。注意，选择适当的时间间隔值（即Cdon电容器的值）延迟（Ton本身）将防止在DIAG2上显示误导性短路信息驱动电容性负载时的输出（在一开始就表现为短路）或者白炽灯（冷灯丝的电阻值很低）。非耗散可以禁用短路保护（保持Ton=0，但输出电流仍然保持不变仅限于Isc，且诊断功能已禁用）只是对ON DELAY引脚短路接地。
诊断逻辑
设备的操作条件将被永久监控，并且事件通过DIAG1/DIAG2漏极开路输出引脚发出信号请参阅诊断真相表。
对地短路。
短路VS。
欠压（UV）
超温（OVT）
开路负载，如果输出电流小于3mA（典型值）。
感应负载的消磁
内部齐纳二极管，将功率MOS的电压限制在50到60V之间（Vcl），无需外部夹紧，可安全快速地消磁设备。可从感性负载中吸收的最大能量规定为200mJ（TJ=85°C时）
1.冷灯丝或电容性负载可激活IPS的限流电路，当IPS最初是打开的。
