OP275点击型号即可查看芯片规格书
特征
卓越的音质特性
低噪声：6 nV/Hz
低失真：0.0006%
高转换率：22 V/s
宽带：9 MHz
低电源电流：5 mA
低偏移电压：1 mV
低偏移电流：2 nA
单位增益稳定
SOIC-8封装
PDIP-8包
应用
高性能音频
有源滤波器
快速放大器
积分器
一般说明
OP275是第一个采用巴特勒放大器前端的放大器。这种新的前端设计结合了双极晶体管和JFET晶体管，以获得具有双极晶体管的精度和低噪声性能以及JFET的速度和音质的放大器。总谐波失真加上噪声等于以前的音频放大器，但在较低的电源电流。
低于6赫兹的极低l/f角保持平坦的噪声密度响应。无论噪声是在30赫兹还是1千赫时测量的，它都只有6毫伏赫兹。输入级的JFET部分为OP275提供了高转换率以保持低失真，即使在需要大的输出摆幅时也是如此，并且OP275的22v/μs转换率是任何标准音频放大器中最快的。最棒的是，这种低噪音和高速度是通过使用低于5毫安的电源电流，低于任何标准音频放大器实现的。
改进的直流性能也提供了偏压和偏移电流大大减少纯双极设计。输入偏移电压保证为1mV，通常小于200μV。这使得OP275可用于许多直流耦合或求和应用中，而无需特殊选择或附加偏移调整电路的附加噪声。
输出能够驱动600Ω负载到10V有效值，同时保持低失真。3V rms时THD+噪声较低，为0.0006%。
OP275在扩展的工业温度范围（-40°C至+85°C）范围内指定。OP275有塑料浸渍和SOIC-8两种封装形式。SOIC-8包装有2500个卷盘。由于各种原因，SOIC-8表面贴装封装中没有提供许多音频放大器；然而，OP275的设计使其能够在表面贴装封装中提供完整的性能。
引脚连接
OP275–典型性能特征
应用
电路保护
OP275具有固有的对地短路保护。与输出串联的内部30Ω电阻器将室温下的输出电流限制在ISC+=40毫安和ISC–=–90毫安，通常情况下，电源电压为±15伏。
然而，当施加过大的电压或电流时，任何一个电源短路都可能损坏设备。如图1所示，如果用户可以将输出短接至电源，则OP275的输出电流应设计为±30 mA。
总谐波失真
OP275的总谐波失真+噪声（THD+N）远低于0.001%，负载降至600Ω。然而，这取决于峰值输出摆幅。在图2中，3V rms输出的THD+噪声低于0.001%。在图3中，THD+噪声在10K和2K负载下低于0.001%，但在600负载条件下增加到0.1%以上。这是OP275输出摆动能力的结果。注意图4中的结果，显示THD与VIN（Vrms）。此图显示，在输出达到9.5 V rms之前，THD+噪声仍然非常低。这种性能与竞争产品相似。
OP275的输出设计为在驱动600Ω负载时保持低谐波失真。然而，驱动600Ω负荷与非常高的输出摆动导致更高的失真，如果剪辑发生。一个常见的例子是尝试用±15 V电源将10 V rms驱动到任何负载中。剪辑将发生和失真将非常高。为了在输出振荡较大的情况下获得低谐波失真，可以增加电源电压。图5显示了OP275驱动600Ω负载的性能，电源电压在±18 V到±20 V之间。请注意，使用±18 V电源时，失真相当高，而使用±20 V电源时，失真非常低，为0.0007%。
噪声
OP275的电压噪声密度从30hz降到7nv/¨Hz以下。这使得低噪声设计在整个音频范围内都具有良好的性能。图6显示了一个典型的OP275，其1/f转角为2.24 Hz。
噪声测试
对于音频应用，噪声密度通常是最重要的噪声参数。为了表征，OP275使用音频精度系统一进行测试。音频精度的输入信号必须放大到足以精确测量的程度。对于OP275，使用图7中所示的电路，噪声约为1020。音频精度的任何读数都必须除以增益。在实施该测试夹具时，良好的电源旁路是必不可少的。
输入过电流保护
可应用于OP275的最大输入差分电压由一对连接在其输入端的内部齐纳二极管决定。它们将最大差分输入电压限制在±7.5V。这是为了防止当施加非常大的差分电压时，在OP275的输入级发生发射极基结击穿。然而，为了保持OP275的低输入噪声电压，与输入串联的内部电阻不用于限制钳位二极管中的电流。在小信号应用中，这不是一个问题；但是，在可能无意中向器件施加较大差分电压的应用中，大的瞬态电流可以流过这些二极管。虽然这些二极管的设计可承载±5毫安的电流，但在OP275的差分电压超过±7.5 V的情况下，应使用图8所示的外部电阻器。
输出电压相位反转
由于OP275的输入级结合了双极晶体管（用于低噪声）和p沟道jfet（用于高速性能），因此，如果OP275的任一输入超过其负共模输入电压，则OP275的输出电压可能会出现相位反转。这可能发生在非常严重的工业应用中，传感器或系统故障可能会对OP275的输入施加非常大的电压。尽管OP275的输入电压范围为±10.5 V，但约为–13.5 V的输入电压将导致输出电压相位反转。在反转放大器配置中，OP275的内部7.5V输入箝位二极管将防止相位反转；但是，它们不会阻止这种效应在非转换应用中发生。对于这些应用程序，修复很简单，如图9所示。一个3.92KΩ的电阻与OP275的非可逆输入串联起来就解决了这个问题。
过载或超速恢复
运算放大器的过载或过驱动恢复时间是指输出电压从饱和状态恢复到额定输出电压所需的时间。这种恢复时间在放大器必须在大的异常瞬态事件后迅速恢复的应用中很重要。图10所示的电路用于评估OP275的过载恢复时间。OP275恢复到VOUT=+10 V大约需要1.2毫秒，恢复到VOUT=–10 V大约需要1.5微秒。
测量沉降时间
OP275的设计结合了高转换率和宽增益带宽积，以产生用于8位和12位应用的快速稳定（tS<1μs）放大器。用于测量OP275的稳定时间的测试电路如图11所示。与假和节点技术相比，这种测试方法的优点是测量放大器的实际输出，而不是在和节点处测量误差电压。该电路除了利用假和节点法测量的转换速率和带宽效应外，还使用了共模稳定效应。当然，需要一个合理的平顶脉冲作为刺激。
被测OP275的输出波形由肖特基二极管箝位，JFET源极跟随器缓冲。信号被OP260放大10倍，然后肖特基钳位在输出端，以防止示波器输入放大器过载。OP41被配置为快速积分器，提供整体直流偏移零位。
高速运行
与大多数高速放大器一样，应注意电源去耦、引线穿线和组件放置。图12和图13显示了逆变和非逆变应用的推荐电路配置。
在逆变和非逆变应用中，反馈电阻与源电阻和电容（RS和CS）以及OP275的输入电容（CIN）形成一个极，如图14所示。当RS和RF在kilohm范围内时，这个极点会产生过多的相移甚至振荡。一个小电容器，CFB，并联和RFB消除了这个问题。通过设置RS（CS+CIN）=RFBCFB，完全消除了反馈极点的影响。
注意源阻抗可将失真最小化
由于OP275是一个非常低失真的放大器，应仔细注意两个输入端的源阻抗。与许多FET型放大器一样，OP275输入级中的p沟道jfet表现出随输入电压变化的栅源电容。在逆变配置中，逆变输入保持在虚拟地上，因此，不随输入电压变化。因此，由于栅极到源极电压是恒定的，因此不会因输入电容模型而产生失真。然而，在非互易应用中，栅极到源极的电压不是恒定的。如果输入阻抗大于2k且不平衡，由此产生的电容调制可导致1 kHz以上的失真。
图15显示了在非反转应用中最大化OP275失真性能的一些指导原则。防止不必要失真的最佳方法是确保反馈和增益设置电阻（RF和RG）的并联组合小于2kΩ。保持这些电阻的值小，有助于减少电路的热噪声和直流偏移误差。如果RF和RG的并联组合大于2kΩ，则应在无换向输入端串联使用一个附加电阻RS。RS值由RF和RG的并行组合确定，以保持OP275的低失真性能。
驱动电容性负载
OP275设计用于驱动电阻负载至600Ω，电容负载超过1000 pF，并保持稳定性。当驱动电容性负载时带宽会降低，设计者不必担心设备的稳定性。图16中的图表显示了OP275在10 pF到1000 pF电容负载下的0 dB带宽。
高速低噪声差分线路驱动器
图17中的电路是一种在工业应用中广泛使用的独特线路驱动器。在±18伏电源的情况下，线路驱动器可以向2.5千伏的负载提供30伏的差分信号。OP275的高转换率和宽带宽相结合，可产生130 kHz的全功率带宽，而低噪声前端产生的参考输入噪声电压频谱密度为10 nV/¨Hz。
该设计是一个无变压器，平衡传输系统的输出共模噪声抑制是至关重要的。与基于变压器的设计一样，在不改变电路增益1的情况下，任何一个输出都可以对不平衡线路驱动器应用进行接地短路。其他的电路增益可以根据图中的公式来设置。这使得设计可以很容易地设置为非反转、反转或差分操作。
一个3极，40 kHz低通滤波器
OP275的紧密匹配和均匀的交流特性使其成为GIC（广义阻抗转换器）和FDNR（频率相关负电阻）滤波器应用的理想选择。图18中的电路说明了一个线性相位，3极，40 kHz低通滤波器，使用OP275作为电感模拟器（回转器）。该电路使用一个OP275（A2和A3）作为FDNR，一个OP275（A1和A4）作为A3的输入缓冲器和偏置电流源。放大器A4配置为增益为2，以将通带幅度响应设置为0 dB。与传统方法相比，这种滤波器拓扑的优点在于，FDNR中使用的运算放大器不在信号路径中，并且滤波器的性能对元件变化相对不敏感。此外，这种配置使得可以在不过载任何滤波器内部节点的情况下处理大信号电平。如图19所示，OP275的对称转换率和低失真产生了干净、良好的瞬态响应。
外形尺寸
