DLP5500点击型号即可查看芯片规格书
特征
•0.55英寸微镜阵列对角线
–1024×768铝阵列，微米大小的镜子（XGA分辨率）
–10.8-μm微镜间距
–±12°微镜倾斜角（相对于平面状态）
–设计用于角落照明
•设计用于宽带可见光（420 nm–700 nm）：
–车窗传输97%（单通，通过两个车窗表面）
–微镜反射率88%
–阵列衍射效率86%
–阵列填充系数92%
•16位，低压差分信号（LVDS）双数据速率（DDR）输入数据总线
•200 MHz输入数据时钟频率
•450系列包装特点：
–热面积18.0 mm x 12.0 mm，可实现高屏幕流明（>2000 lm）
–149微针网格阵列坚固的电气连接
应用
•3D机器视觉
•三维光学测量
•工业和医疗成像
•医疗器械
•数字曝光系统
说明
DLP5500数字微镜器件（DMD）是一种数字控制的MOEMS（微光机电系统）空间光调制器（SLM）。当耦合到适当的光学系统时，DLP5500可用于调制入射（照明）光的振幅、方向和/或相位。
从架构上讲，DLP5500是一种可锁定的、电输入/光输出的半导体器件。这种结构使DLP5500非常适合用于结构照明、3D光学计量、工业和医疗成像、显微镜和光谱学等应用。DLP5500紧凑的物理尺寸使其能够集成到便携式设备中。
DLP5500是DLP 0.55 XGA芯片组中的三个组件之一（见图1）。DLP5500的正确功能和操作要求它与芯片组的其他组件一起使用。DLPC200（TI文献号DLPS014）和DLPA200（TI文献号DLPS015）控制和协调数据加载和微镜切换，以确保可靠运行。更多详情请参考DLP 0.55 XGA芯片组数据表（TI文献编号DLPZ004）。DLPR200F是DLPC200固件代码，用于支持视频和结构化照明应用。要找到DLPR200F的最新版本，请转到网站并搜索关键字“DLPR200”。
在电气方面，DLP5500由一个由1位CMOS存储单元组成的二维阵列，由768个存储单元行组成1024个存储单元列组成的正方形网格。CMOS存储器阵列通过16位低压差分信号（LVDS）双数据速率（DDR）总线逐列写入。行寻址通过串行控制总线处理。具体的CMOS内存访问协议由DLPC200数字控制器处理。
光学上，DLP5500由786432个高反射、可数字切换、微米大小的反射镜（“微镜”）组成，由1024个微镜列和768个微镜行组成（图3）。每个铝微镜的尺寸约为10.8微米（参考图3中的“微镜间距”），可在两个离散角度位置之间切换：–12°和+12°。角度位置是相对于平行于阵列平面的0°“平坦状态”测量的（见图4）。倾斜方向垂直于铰链轴，铰链轴相对于整体阵列呈对角线定位，“开启状态”着陆位置朝向设备包的“第0行，第0列”角（参考图3中的“微镜铰链轴方向”）。在视觉显示领域，1024×768“像素”的分辨率被称为“XGA”。
每个单独的微镜都位于相应的CMOS存储单元上。特定微镜的角度位置由相应CMOS存储单元内容的二进制状态（逻辑0或1）确定。将逻辑1写入存储单元将导致相应的微镜切换到+12°位置。将逻辑0写入存储单元将导致相应的微镜切换到-12°位置。
在1024×768微镜阵列的周边是一个统一的“边界”微镜带。边界微镜不能由用户寻址。一旦设备通电，边界微镜将降落在-12°位置。在1024x768有源阵列的每侧有10个边界微镜。
单个微镜的角度位置（-12°或+12°）与微镜“时钟脉冲”同步变化（而不是与CMOS存储单元数据更新同步）。微镜“时钟脉冲”被称为镜复位。镜复位信号的应用导致每个微镜被机电“锁定”到由相应CMOS存储单元的内容所指示的角度位置。微镜“时钟脉冲”通过DLPA200 DMD模拟复位驱动器提供的16个“复位”信号输入到DLP5500。
操作上，更新微镜阵列的角度位置包括首先更新CMOS存储器的内容，然后对微镜阵列的全部或部分应用镜像复位（取决于系统的配置）。反射镜复位脉冲由DLPA200产生，脉冲的应用由DLPC200控制器协调。
相关文件
以下文档包含有关DLP5500设备使用的附加信息：
可订购零件号
设备标识
设备标记由图5所示的字段组成。
热特性
为了获得最佳的DMD性能，需要对DMD的最高温度、有源阵列中任何单个微镜的最高温度、窗口孔径的最高温度以及外壳温度与预测的微镜阵列温度之间的温度梯度进行适当的管理。（见图13）。
有关适用的温度限制，请参阅建议的工作条件。
包装热阻
DMD设计用于将吸收和散热的热量传导到450系列封装的背面，在那里可以通过适当的散热片将其清除。散热器和冷却系统必须能够将机组维持在规定的工作温度范围内，参见图13。DMD上的总热负荷通常由有源区吸收的入射光驱动；尽管其他贡献包括窗孔吸收的光能和阵列的电功率耗散。
外壳温度
DMD外壳的温度可以直接测量。为了一致性，定义了热测试点位置TC1和TC2，如图13所示。
微镜阵列温度计算
微镜阵列温度不能直接测量，因此必须从测量点（图13）、封装热阻、电功率和照明热负荷进行分析计算。微镜阵列温度与外壳温度之间的关系由以下方程式提供：
其中以下元素定义为：
TArray=计算的微镜阵列温度（°C）
TCeramic=陶瓷温度（°C）（TC2位置图13）QArray=DMD阵列总功率（电+吸收）（单位：瓦）
RArray To Ceramic=DMD封装从阵列到TC2的热阻（°C/Watt）（参见封装热阻电阻）QELE=标称电功率（瓦特）
QILL=吸收的照明能量（瓦特）
下面提供了一个基于传统DLP视频投影系统的示例计算。DMD的电功率损耗是可变的，取决于电压、数据速率和工作频率。计算中使用的标称功耗为2.0瓦。因此，QELE=2.0瓦。从照明光源吸收的功率是可变的，取决于反射镜的工作状态和光源的强度。根据DLP投影系统的建模和测量数据，QILL=CL2W•SL。其中:
CL2W是流明到瓦特的常数，估计为0.00288瓦/流明
SL=屏幕流明标称测量为2000流明
Qarray=2.0+（0.00288•2000）=7.76瓦，微镜阵列的估计总功率
TCeramic=55.0°C，假设系统测量值
最后，TArray（微镜主动阵列温度）是:
有关DMD机械和热计算和注意事项的更多说明，请参考DLP Series-450 DMD和系统安装概念（TI文献编号DLPA015）。
