DRV8301-Q1点击型号即可查看芯片规格书
特点
•适合汽车应用
•AEC-Q100测试结果如下：
–设备温度等级1：–40°C至125°C环境工作温度范围
–设备HBM ESD等级H2
–设备CDM ESD分类等级C4A
•工作电源电压6V–60V
•2.3A水槽和1.7A源极驱动电流能力
•具有可调增益和偏移的集成双并联电流放大器
•集成降压转换器，可支持高达1.5A的外部负载
•3或6个PWM输入的独立控制
•具有100%占空比支持的引导门驱动器
•可编程死区时间，以保护外部FET不被射穿
•用于减少电磁干扰的转换速率控制
•外部MOSFET的可编程过电流保护
•支持3.3V和5V数字接口
•SPI接口
•热增强型56针TSSOP衬垫式DCA封装
应用
•汽车三相无刷直流电动机和永磁同步电动机
•水、油、燃油泵
说明
DRV8301-Q1是一种用于三相电机驱动应用的汽车门驱动器IC。它提供了三个半桥驱动器，每个驱动器都能驱动两个N型mosfet，一个用于高侧，一个用于低侧。它支持高达2.3A sink和1.7A源峰值电流能力，只需要一个从6V到60V的宽范围电源。DRV8301-Q1使用带涓流充电电路的引导栅极驱动器，以支持100%的占空比。当高边场效应晶体管或低边场效应晶体管切换时，栅极驱动器使用自动握手来防止电流击穿。在过电流情况下，感测FET的Vds以保护外部功率级。
DRV8301-Q1包括两个电流分流放大器，用于精确的电流测量。电流放大器支持双向电流感应，并提供高达3V的可调输出偏移。
DRV8301-Q1也有一个集成开关模式降压转换器，输出和开关频率可调，以支持MCU或其他系统电源需求。巴克能够驱动高达1.5A负载。
SPI接口提供详细的故障报告和灵活的参数设置，如电流分流放大器的增益选项、门驱动器的转换速率控制等。
这些设备具有有限的内置ESD保护。在储存或搬运过程中，应将引线短接在一起，或将设备放置在导电泡沫中，以防止对MOS门造成静电损伤。
功能框图
功能描述
三相门驱动器
DRV8301-Q1提供了三个半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动两个N型MOSFET，一个用于高压侧，一个用于低压侧。
门驱动器具有以下特点：
•开关转换期间，高压侧和低压侧FET之间的内部握手，以防止电流击穿。
•通过SPI接口可编程转换速率或电流驱动能力。
•支持高达200kHz的开关频率，Qg（TOT）=25nC或总30mA栅极驱动平均电流
•提供外部FET的逐周期电流限制和闩锁过电流（OC）关闭。电流通过FET漏源电压感应，过电流水平可通过SPI接口编程
•Vds传感范围可从0.060V编程至2.4V，并通过SPI具有5位可编程分辨率。
•高压侧栅极驱动将承受半桥负输出，最高-10V，持续10ns
•在EN_栅极引脚低和故障情况下，栅极驱动器将保持外部FET处于高阻抗模式。
•通过DTC引脚可编程死区时间。死区时间控制范围：50ns到500ns。短DTC针脚对地将提供最短的死区时间（50ns）。只要外部死区时间长于死区时间设置，外部死区时间将覆盖内部死区时间（为了防止击穿电流，不能缩短最小握手时间）。
•引导带用于三相预栅驱动器的高侧场效应晶体管。涓流充电电路用于补充自举阀盖的电流泄漏，并支持100%的占空比运行。
电流分流放大器
DRV8301-Q1包括两个高性能电流分流放大器，用于精确的电流测量。
电流放大器提供高达3V的输出偏移，以支持双向电流感应。
电流分流放大器具有以下特点：
•可编程增益：通过SPI命令设置4个增益
•通过参考引脚的可编程输出偏移（Vref的一半）
•通过SPI命令或直流校准引脚进行直流校准，使直流偏移和温度漂移最小化。当直流校准启用时，装置将短路电流分流放大器的输入并断开负载。直流校准可以在任何时候进行，即使当FET开关，因为负载断开。为了获得最佳结果，在无负载的情况下，在关闭期间执行直流校准，以减少对放大器的潜在噪声影响。
电流分流放大器的输出可计算为：
其中，Vref是参考电压，G是放大器的增益；SNx和SPx是通道x的输入。SPx应连接到电阻接地，以获得最佳共模抑制。
图4显示了电流放大器的简化框图。
BUCK变换器
DR8301中的buck转换器与TPS54160 buck转换器相同。尽管集成在同一个器件中，buck变换器的设计完全独立于其余的栅极驱动电路。由于buck将支持外部MCU或其他外部电源需求，buck操作的独立性对于一个可靠的系统来说是非常关键的；这将使buck从门驱动器操作中受到的影响最小。例如：当门驱动器因任何故障而关闭时，buck仍将工作，除非故障是buck本身造成的。buck保持在3.5V的低PVDD下工作，这将确保当栅极驱动器由于低PVDD而无法工作时，系统能够平稳地上电和断电。
buck有一个集成的高边n沟道MOSFET。为了提高线路和负载瞬变期间的性能，该装置实现了恒定频率、电流模式控制，减少了输出电容，简化了外部频率补偿设计。
在选择输出滤波器组件时，300kHz到2200kHz的宽开关频率允许效率和尺寸优化。开关频率通过RT峎CLK引脚上的接地电阻进行调整。该设备在RT_ck引脚上有一个内部锁相环（PLL），用于将电源开关接通与外部系统时钟的下降沿同步。
buck转换器的默认启动电压约为2.5V。EN_buck引脚有一个内部上拉电流源，可用于通过两个外部电阻器调整输入电压欠压锁定（UVLO）阈值。此外，上拉电流提供了一个默认条件。当EN_BUCK引脚浮动时，设备将运行。在不切换和空载时，工作电流为116μA。当设备被禁用时，电源电流为1.3μA。
集成的200mΩ高侧MOSFET允许高效率的电源设计，能够向负载提供1.5安培的连续电流。集成高压侧MOSFET的偏置电压由启动端到PH引脚上的电容器提供。启动电容电压由一个UVLO电路监控，当启动电压低于预设阈值时，将关闭高压侧MOSFET。由于启动UVLO，buck可以在高占空比下工作。输出电压可以降低到0.8V参考电压。
BUCK有一个功率良好的比较器（PWRGD），当调节输出电压小于标称输出电压的92%或大于109%时，该比较器会进行判断。PWRGD引脚是一个开路漏极输出，当VSENSE引脚电压在标称输出电压的94%和107%之间时，该引脚会断开，允许引脚在使用上拉电阻器时转换为高电平。
该BUCK通过利用OV功率良好比较器来最小化过电压（OV）瞬态。当OV比较器被激活时，高侧MOSFET被关闭并屏蔽，直到输出电压低于107%。
SS_-TR（慢启动/跟踪）引脚用于最小化涌入电流或在通电期间提供电源顺序。一个小值电容器应耦合到引脚上，以调整慢启动时间。电阻分压器可与引脚耦合，以满足关键电源排序要求。在输出通电之前，SS_TR引脚被放电。这种放电确保了超温故障后可重复重启，
此外，在过载情况下，BUCK通过过载恢复电路对慢启动电容器进行放电。一旦故障条件消除，过载恢复电路将缓慢启动从故障电压到标称调节电压的输出。频率折叠电路在启动和过电流故障条件下降低开关频率，以帮助控制电感器电流。
保护特性
功率级保护
DRV8301-Q1为MOSFET功率级提供过流和欠压保护。在故障关闭条件下，所有门驱动器输出将保持低，以确保外部FET处于高阻抗状态。
过电流保护（OCP）和报告
为了保护功率级不受大电流的损坏，在DRV8301-Q1中安装了VDS传感电路。基于功率mosfet的RDS（on）和最大允许id，可以计算出一个电压阈值，当超过该阈值时，触发OC保护特性。该电压阈值水平可通过SPI命令进行编程。
SPI中共有4个OC_模式设置。
1.模式限流
当电流限制模式被启用时，设备在OC事件期间操作电流限制而不是OC关闭。过电流事件通过OCTW引脚报告。在同一个PWM周期内或在最大64μs的时间段（内部计时器）内，OCTW报告应保持低水平，以便外部控制器有足够的时间对警告信号进行采样。如果在报告过程中，其他FET获得OC，则OCTW报告将保持低并重新计数另一个64μs，除非两个FET上的PWM周期结束。
在电流限制模式下有两个电流控制设置（在SPI中按一位选择，默认为CBC模式）。
–设置1（CBC模式）：在OC事件期间，检测到OC的FET将关闭，直到下一个PWM周期。
–设置2（关闭时间控制模式）：
–在OC事件期间，如果PWM信号仍然保持高电平，则检测到OC的FET将关闭64us作为关闭时间，然后恢复正常（因此相同的FET将再次打开）。由于所有三相或6个FET共用一个定时器，如果不止一个FET发生OC，那么在发生OC事件的所有FET通过64μs之前，FET不会恢复正常。
–如果在定时器运行期间切换了该场效应晶体管的脉宽调制信号，则该开关场效应晶体管的设备将恢复正常运行。所以在这种情况下，实时关闭时间可能小于64uS。
–如果在定时器运行期间，两个FET获得OC，而一个FET的PWM信号被切换，则该FET将恢复正常，而另一个FET将关闭直到计时器结束（除非其PWM也被切换）
2.OC闩锁关闭模式
当发生OC时，如果同一相的任何一个FET中有OC，则该器件将同时关闭该相的高侧和低压侧FET。
3.仅报告模式
在此模式下不会执行任何保护操作。OC检测将通过OCTW引脚和SPI状态寄存器报告。外部MCU应根据其自身的控制算法采取行动。将在OCTW管脚上实现64μS的脉冲拉伸，以便控制器有足够的时间来检测OC信号。
4.OC禁用模式
设备将忽略所有OC检测，也不会报告它们。
欠压保护（UVP）
为了在启动、关闭和其他可能的电压条件下保护功率输出级DRV8301-Q1通过在PVDD低于6V（PVDD_-UV）或GVDD低于7.5V（GVDD_-UV）时驱动其低输出，提供功率级欠压保护。当UVP被触发时，DRV8301-Q1输出被驱动低，外部mosfet将进入高阻抗状态。
过电压保护（GVDD_-OV）
如果GVDD电压超过16V，装置将关闭栅极驱动器和充电泵，以防止与GVDD或充电泵相关的潜在问题（例如，外部GVDD盖或充电泵短路）。该故障为锁定故障，只能通过EN_门引脚上的转换复位。
过热保护
实现了两级超温检测电路：
•1级：超温警告（OTW）
OTW通过OCTW引脚（过流温度警告）报告，用于默认设置。OCTW引脚只能通过SPI命令设置为报告OTW或OCW。参见SPI寄存器部分。
•2级：门驱动器和电荷泵（OTSD_gate）的超温（OT）锁定关闭
故障将报告给故障引脚。这是一个闭锁关闭，因此即使OT状态不再存在，门驱动器也不会自动恢复。在温度低于预设值tOTSD\U CLR后，需要通过引脚或SPI（复位门）复位门驱动器，使其恢复正常运行。
SPI操作仍然可用，只要PVDD仍在定义的操作范围内，OTSD操作期间寄存器设置将保留在设备中。
故障及保护处理
故障引脚指示发生了关机错误事件，例如过电流、过温、过压或欠压。请注意，故障是开路漏极信号。在启动期间，当门驱动器准备好接收PWM信号时，故障将变高（内部EN_gate变高）。
OCTW引脚指示与关机无关的过电流事件和过热事件。
以下是所有保护功能及其报告结构的摘要：
引脚控制功能
EN_GATE
EN_GATE low用于将栅极驱动器、电荷泵、电流分流放大器和内部调节块置于低功耗模式以节省能源。在此状态期间不支持SPI通信。只要PVDD仍然存在，器件将把MOSFET输出级置于高阻抗模式。
当EN_门引脚到高电平时，它将经历一个通电序列，并启用门驱动器、电流放大器、电荷泵、内部调节器等，并重置与门驱动器块相关的所有锁定故障。它还将重置SPI表中的状态寄存器。除非故障仍然存在，否则当在错误事件后切换EN_GATE时，所有锁定的故障都可以复位。
当EN_门从高到低时，它会立即关闭栅极驱动块，因此栅极输出可以使外部fet处于高阻抗模式。然后它将等待10秒，然后完全关闭其余的街区。快速故障复位模式可以通过短时间（小于10μS）切换EN_GATE引脚来实现。这将防止设备关闭其他功能块，如电荷泵和内部调节器，并带来更快和简单的故障恢复。SPI仍然可以在这种快速的门重设模式下工作。
重置所有故障的另一种方法是使用SPI命令（reset_GATE），它将只重置门驱动器块和所有SPI状态寄存器，而不关闭其他功能块。
一个例外是重置GVDD_-OV故障。快速门快速故障复位或SPI命令复位在GVDD\U OV故障下不起作用。复位GVDD_OV故障需要一个低电平保持时间超过10μS的完整EN_GATE。强烈建议在发生GVDD_OV时检查系统和板。
EN_BUCK
降压使能引脚，内部上拉电流源。拉到1.2V以下禁用。浮动以启用。
故障诊断码
死区时间可通过DTC引脚编程。在故障诊断码（DTC）与接地之间应连接一个电阻，以控制死区时间。死区时间控制范围从50ns到500ns。短DTC针脚对地将提供最短的死区时间（50ns）。电阻范围为0至150kΩ。死区时间在这个电阻范围内线性设定。
电流直通保护将始终在装置中启用，与死区时间设置和输入模式设置无关。
VDD_SPI
VDD_SPI是SDO引脚的电源。它必须连接到MCU用于SPI操作的同一电源（3.3V或5V）。
在通电或断电瞬态过程中，VDD_SPI引脚可能很快为零电压。在此期间，系统中任何其他设备的SDO引脚不应出现任何SDO信号，因为这会导致DRV8301-Q1中的寄生二极管从SDO导至VDD U SPI引脚短路。在系统电源顺序设计中应考虑和防止这一点。
直流电
当直流校准被启用时，装置将短路并联放大器的输入并断开与负载的连接，因此外部微控制器可以进行直流偏移校准。直流偏移校准也可以用SPI命令完成。如果只使用SPI进行直流校准，则直流电插头可以连接到GND。
SPI引脚
SDO引脚必须是3态的，这样一条数据总线就可以连接到多个SPI从设备。SCS引脚处于低激活状态。当SCS较高时，SDO处于高阻抗模式。
启停顺序控制
在通电期间，所有门驱动输出保持在低水平。从高电平到低电平的门极放大器可以从高电平到低电平。如果不存在错误，DRV8301-Q1准备好接受PWM输入。只要PVDD在功能范围内，即使在门禁用模式下，栅极驱动器也可以控制功率场效应晶体管。
从SDO到VDD_SPI之间有一个内部二极管，因此VDD_SPI需要始终以与其他SPI设备相同的功率电平供电（如果有来自其他设备的SDO信号）。在SDO引脚上出现任何信号之前，VDD U SPI电源应首先通电，在SDO引脚完成所有通信后关闭电源。
SPI通信
SPI接口
SPI接口用于设置设备配置、运行参数和读取诊断信息。DRV8301-Q1 SPI接口在从属模式下工作。
SPI输入数据（SDI）字由16位字组成，11位数据和5位（MSB）命令。SPI输出数据（SDO）字由16位字组成，11位寄存器数据、4位MSB地址数据和1个帧故障位（活动1）。当一个帧无效时，帧故障位将设置为1，其余的SDO位将移出零。
有效帧必须满足以下条件：
1.当/SCS变低时，时钟必须很低。
2.我们应该有16个完整的时钟周期。
3.当/SCS变高时，时钟必须低。
当SCS被断言为高电平时，SCLK和SDI引脚上的任何信号都将被忽略，SDO被强制进入高阻抗状态。当SCS从高电平转换到低电平时，SDO被启用，SPI响应字根据前一时钟周期SPI中的5位命令加载到移位寄存器中。
当SCS转换为低电平时，SCLK引脚必须为低电平。当SCS较低时，在时钟的每个上升沿，响应位在SDO管脚上串行移出，MSB首先移出。
当SCS较低时，在时钟的每个下降沿，新的控制位在SDI管脚上采样。SPI命令位被解码以确定寄存器地址和访问类型（读或写）。MSB将首先在中移位。如果发送到SDI的字小于16位或大于16位，则视为帧错误。如果是写命令，数据将被忽略。SDO（MSB）中的故障位将在下一个16位字周期中报告1。
在第16个时钟周期之后或当SCS从低转换到高时，在写访问类型的情况下，SPI接收移位寄存器数据被传输到地址与解码的SPI命令地址值匹配的锁存器中。只要SCS保持低激活状态，位之间可以经过任何时间。这允许使用两个8位字。
对于SPI中的一个读取命令（第N个周期），SP0将在下一个周期（N+1）中发送寄存器中的数据，并在读取命令中添加地址。
对于SPI中的写入命令，SPO将在下一个16位字周期（N+1）中发送状态寄存器0x00h中的数据。在大多数情况下，当有一个写命令时，这个特性将使SPI通信效率最大化，但是仍然可以在不发送额外的读命令的情况下返回故障状态值。
SPI格式
SPI输入数据控制字长16位，包括：
•1读或写位W[15]
•4个地址位A[14:11]
•11个数据位D[10:0]
SPI输出数据响应字的长度为16位，其内容取决于上一个周期中给定的SPI命令（SPI控制字）。当一个SPI控制字被移入时，SPI响应字（在相同的转换时间内被移出）是对上一个SPI命令（移入SPI控制字“N”和移出SPI响应字“N-1”）的响应。
因此，每个SPI控制/响应对需要两个完整的16位移位周期才能完成。
SPI控制和状态寄存器
读/写位
SDI字（W0）的MSB位是读/写位。当W0=0时，输入数据是一个写命令；当W0=1时，输入数据是一个读命令，寄存器值将在同一个字周期内从SDO从D10发送到D0。
地址位
SPI数据位
状态暂存器
•所有状态寄存器位处于锁定模式。读取每个状态寄存器将重置该寄存器中的位。读取故障寄存器两次以获取更新的状态条件。
•当“低”电平保持时间超过10μS时，EN_GATE切换将强制关闭和启动序列，并重置状态寄存器中的所有值，包括GVDD_OV故障。
•低电平保持小于10uS的EN_GATE togging（快速故障复位）或GATE_reset high（在SPI中）将重置状态寄存器中的所有值，gvd_OV fault仍将被锁定为故障。
•当发生任何故障导致停机（GVDD U UV、PVDD U UV、OTSD、OCSD、GVDD_OV）时，故障为高故障，这与故障硬件引脚相反。
控制暂存器
过流调整
当外部MOSFET被打开时，输出电流流过MOSFET，从而产生电压降VDS。当VDS超过预设值IOC时，将启用过电流保护事件。OC跳闸值可通过SPI命令编程。假设MOSFET的导通电阻为RDS（on），则Vds可计算为：
VDS是通过slux和SH_x引脚为低侧MOSFET测量的。对于高侧MOSFET，VDS是通过PVDD1（内部）和SH_x测量的。因此，限制PVDD1电源上的纹波对于精确的高压侧电流传感非常重要。
同样重要的是要注意，对于OC跳闸点，通道之间的公差可以高达20%。这是为了保护，而不是用来调节电机相位的电流。
应用示意图示例
例子：
降压：PVDD=3.5V–40V，Iout_max=1.5A，Vo=3.3V，Fs=570 kHz。
PCB布局建议
以下是为DRV8301-Q1设计PCB时使用的一些布局建议。
1.DRV8301-Q1通过电源板与GND进行电气连接。始终检查以确保PowerPAD已正确焊接（参见PowerPAD应用报告，SLMA002）。
2. C1/C2/C8/C9，PVDD去耦电容器应靠近其相应的管脚，并通过低阻抗路径连接到设备GND（PowerPAD）。
3.C4，gvd电容器应放置在靠近其相应引脚的低阻抗路径的设备GND（PowerPAD）。
4.C16/C17、AVDD和DVDD电容器应放置在靠近其相应引脚的位置，并采用低阻抗路径连接至AGND引脚。最好在同一层建立这种连接。
5.AGND应该通过低阻抗跟踪/铜填充连接到设备GND（PowerPAD）。
6.添加缝合过孔，以减少从上到下的GND路径的阻抗。
7.试着清理DRV8301-Q1周围和下方的空间，以便更好地从电源板散热。
