特点
•1.6MHz同步开关模式充电器，带4-A集成N-MOSFET
•效率高达94%
•30-V输入额定值，可调过电压
保护
–4.5-V至17-V输入工作电压范围
•电池充电电压
–bq24170：1芯、2芯或3芯，4.2 V/芯
–bq24172：可调充电电压
•高度集成
–自动电源路径选择器
适配器和电池
–动态电源管理
–集成20伏开关MOSFET
–集成自举二极管
–内部数字软启动
•安全
–热调节回路限制回流，以限制TJ=120°C
–热关机
–电池热敏电阻感应热/冷充电
暂停和电池检测
–可调输入过压保护
–循环电流限制
•准确性
–±0.5%充电电压调节
–±4%充电电流调节
–±4%输入电流调节
•拆除适配器后，电池电流<15-μA
•<1.5-mA输入电流，适配器存在且充电禁用
应用
•平板电脑
•便携式数据采集终端
•便携式打印机
•医疗诊断设备
•电池架充电器
•备用电池系统
说明
bq2417x是一款高度集成的独立锂离子和锂聚合物开关模式电池充电器，带有两个集成的N沟道功率MOSFET。该装置提供了一个恒频同步PWM控制器，具有高精度的输入电流、充电电流和电压调节。bq2417x密切监控电池组温度，只允许在预设的温度窗口中充电。bq24170为一个、两个或三个电池充电（由电池引脚选择），bq24172最多可调节三个系列Li+电池。
设备信息
（1）、有关所有可用的软件包，请参阅数据表末尾的订购附录。
典型应用示意图
该装置分三个阶段给电池充电：预预测、恒流和恒压。
当电流达到快速充电率的10%时，充电终止。可编程充电计时器提供安全备份。如果电池电压低于内部阈值，bq2417x会自动重新启动充电循环，当输入电压低于电池电压时，bq2417x将进入低静态电流休眠模式。
bq2417x具有动态电源管理（DPM）功能，可在达到输入功率限制时降低充电电流，以避免适配器过载。一个高精度的电流感应放大器能够精确测量适配器的输入电流，从而监控整个系统的功率。
bq2417x在输入NMOS对ACFET（Q1）和RBFET（Q2）上提供电源路径选择器门驱动器ACDRV/CMSRC，以及电池PMOS设备（Q3）上的BATDRV。当有合格的适配器时，系统直接连接到适配器。否则，系统将连接到电池。此外，电源路径防止电池重新充电到输入端。
bq2417x从高达17伏的直流电源给电池充电，包括汽车电池。输入过电压限值可通过OVPSET引脚调节。AVCC、ACP和ACN引脚的额定电压为30 V。当插入高压直流电源时，Q1和Q2保持关闭，以避免高压损坏系统。
对于单电池应用，如果电池不可拆卸，系统可以直接连接到电池上，以简化电源路径设计并降低成本。通过这种配置，如果适配器过载，电池可以自动补充系统负载。
bq2417x提供24针、5.5毫米×3.5毫米薄VQFN封装。
设备比较表
典型特征
详细说明
概述
bq2417x设备是一种独立的开关模式电池充电器，用于锂离子电池和锂聚合物电池，具有电源路径管理和集成N沟道功率MOSFET。这种固定频率同步PWM充电器提供高精度的输入电流调节电流充电电流和电池调节电压。
功能框图
特性描述
图14显示了一个典型的充电模式。
电池电压调节
bq2417x为充电电压提供了一个高精度的电压调节器。bq24170使用电池引脚选择固定4.2V/电池的电池数量。将电池连接到AGND设置为1单元输出，浮动单元引脚设置为2单元输出，连接到VREF设置为3单元输出。
bq24172使用外部电阻分压器进行电压反馈，并调节至FB引脚上的内部2.1 V参考电压。使用以下公式计算bq24172的调节电压：
其中：
•R2从FB连接至电池。
•R1从FB连接到GND。
电池电流调节
ISET输入设置最大充电电流。蓄电池电流由连接在SRP和SRN之间的电流感应电阻器RSR感测。SRP和SRN之间的满标度差电压最大为40 mV。充电电流的方程式为：
ISET的有效输入电压范围为0.8V，使用10 mΩ传感电阻时，最大输出电流为4A；使用20 mΩ传感电阻时，最大输出电流为2A。
当ISET引脚电压低于40毫伏时，充电器被禁用；当ISET引脚电压高于120毫伏时，充电器启用。对于10 mΩ电流感应电阻器，最小快速充电电流必须大于600 mA。
在高环境温度下，充电电流会折回以保持IC温度不超过120℃。
蓄电池预充电电流调节
通电时，如果电池电压低于VLOWV阈值，bq2417x会对电池施加预充电电流。这种预充电功能旨在使深度放电的细胞复活。如果在启动预充电后30分钟内未达到VLOWV阈值，充电器将关闭，状态引脚上会显示故障。
对于bq2417x，预充电电流设置为ISET电压设定的快速充电率的10%。
输入电流调节
来自交流适配器或其他直流电源的总输入电流是系统电源电流和蓄电池充电电流的函数。系统电流通常随着部分系统通电或断电而波动。如果没有动态电源管理（DPM），电源必须能够同时提供最大系统电流和最大可用充电器输入电流。输入电流调节器采用DPM，当系统功率和充电功率之和超过最大输入功率时，降低充电电流。因此，可以降低交流适配器的电流容量，降低系统成本。
输入电流由ACSET引脚上的电压设置，使用以下公式：
ACP和ACN引脚用于跨RAC进行感应，默认值为10 mΩ。但是，也可以使用其他值的电阻器。较大的感测电阻将产生更大的感测电压和更高的调节精度，以较高的传导损耗为代价。
充电终止、充电和安全计时器
充电器在电压调节阶段监控充电电流。当SRN电压（bq24170）或FB电压（bq24172）高于充电阈值且充电电流小于终止电流阈值时，检测到终止，如等式5所示：
其中：
•VISET是ISET引脚上的电压。
•RSR是感测电阻。
在快速充电和预充电之间的转换过程中，有一个25毫秒的脱硅时间。
作为安全备份，充电器还提供内部固定的30分钟预充电安全计时器和可编程快速充电计时器。快速充电时间由连接在TTC引脚和AGND之间的电容器进行编程，并通过以下公式给出：
其中：
•CTTC是连接到TTC的电容器。
•KTTC是常数乘数。
当出现以下任一情况时，将启动新的充电循环：
•电池电压低于充电阈值
•发生上电复位（POR）事件
•ISET引脚切换低于40毫伏（禁用充电）和高于120毫伏（启用充电）
将TTC引脚拉至AGND，以禁用终端和快速充电安全定时器（复位定时器）。将TTC引脚拉至VREF，禁用安全定时器，但允许充电终止。
通电
充电使用休眠比较器来确定AVCC引脚上的电源，因为AVCC可以由电池或适配器供电。在适配器电源存在的情况下，如果AVCC电压大于SRN电压，充电器将退出休眠模式。如果满足所有充电条件，充电器将开始对蓄电池充电（请参阅启用和禁用充电）。如果SRN电压大于AVCC，充电器将进入低静态电流休眠模式，以尽量减少电池的电流消耗。在休眠模式下，VREF输出关闭，STAT引脚转到高阻抗。
如果设备的UVCC低于阈值，则为禁用。
输入欠压锁定（UVLO）
系统必须具有最小AVCC电压，以允许正常工作。这个AVCC电压可能来自输入适配器或电池，因为存在一条从电池到AVCC的传导路径，通过高压侧NMOS主体二极管。当AVCC低于UVLO阈值时，IC上的所有电路都被禁用。
输入过压/欠压保护
ACOV提供保护，防止高输入电压导致系统损坏。在bq2417x中，一旦OVPSET上的电压高于1.6 V ACOV阈值或低于0.5 V ACUV阈值，则会禁用充电并关闭输入MOSFET。bq2417x提供了设置输入限定阈值的灵活性。
启用和禁用充电
启用充电前，必须满足以下条件：
•ISET引脚高于120毫伏。
•设备未处于UVLO模式（即VAVCC>VUVLO）。
•设备未处于休眠模式（即VAVCC>VSRN）。
•OVPSET电压为0.5 V至1.6 V，以鉴定适配器。
•首次通电后1.5秒延迟完成。
•REGN LDO和VREF LDO电压处于正确水平。
•热关机（TSHUT）无效。
•未检测到TS故障。
•ACFET打开（有关详细信息，请参阅系统电源选择器）。
下列情况之一会停止持续充电：
•ISET引脚电压低于40毫伏。
•设备处于UVLO模式。
•适配器已卸下，导致设备进入睡眠模式。
•OVPSET电压表示适配器无效。
•REGN或VREF LDO电压过载。
•t达到停机温度阈值。
•TS电压超出范围，表明电池温度过高或过低。
•ACFET关闭。
•TTC计时器过期或预充电计时器过期。
系统电源选择器
IC自动将适配器或电池电源切换到系统负载。在开机或休眠模式下，电池默认连接到系统。当适配器插入电源且电压高于电池电压时，IC退出休眠模式。退出休眠后，电池与系统断开连接，适配器连接至系统。一个自动断开-关合逻辑可防止选择器切换时的击穿电流。
ACDRV用于驱动适配器和ACP之间的一对背靠背N沟道功率MOSFET，电源连接到CMSRC。N沟道FET的漏极连接到ACP（Q2，RBFET）提供反向电池放电保护，并以其低RDSON最小化系统功耗。另一个N沟道FET的漏极连接到适配器输入端（Q1，ACFET）将电池和适配器分开，并通过控制FET的开启时间，在将适配器连接到系统时提供有限的dI/dt。BATDRV控制一个P沟道功率MOSFET（Q3，BATFET），放置在电池和系统之间，漏极连接到电池。
在检测到适配器之前，ACDRV被拉到CMSRC以保持ACFET关闭，断开适配器与系统的连接。/如果以下所有条件都有效，BATDRV将保持ACN-6 V（夹钳接地），以将蓄电池连接到系统：
•VAVCC>VUVLO（电池供电AVCC）
•VACN<VSRN+200毫伏
当设备退出休眠模式后，系统开始从电池切换到适配器。AVCC电压必须高于SRN 300 mV才能启用转换。先断后合逻辑使ACFET和BATFET在ACFET开启前关闭10μs。这可以防止击穿电流或任何大的放电电流进入电池。将/BATDRV拉至ACN，ACDRV引脚通过内部电荷泵设置为CMSRC+6 V，以打开N通道ACFET，如果以下所有条件都有效，则将适配器连接到系统：
•真空<VOVPSET<VACOV
•VAVCC>VSRN+300毫伏
当适配器被移除时，IC关闭ACFET并进入休眠模式。
BATFET保持关闭，直到系统下降到接近SRN。BATDRV引脚由内部调节器驱动至ACN-6V，以打开P通道BATFET，将电池连接至系统。
不对称栅极驱动提供ACFET和BATFET的快速关断和慢导通，以帮助先断后合逻辑，并允许在两个MOSFET的导通时软启动。通过在栅极和功率mosfet源之间放置一个电容器，可以进一步增加延迟时间。
变流器运行
bq2417x采用1.6兆赫的恒频降压开关稳压器。固定频率振荡器在输入电压、电池电压、充电电流和温度的所有条件下都能严格控制开关频率，简化了输出滤波器的设计，并使其远离可听见的噪声区域。
III型补偿网络允许在转换器的输出端使用陶瓷电容器。将内部锯齿形斜坡与内部误差控制信号进行比较，以改变转换器的占空比。斜坡高度与AVCC电压成比例，以抵消由于输入电压变化而引起的任何环路增益变化，并简化环路补偿。内部门驱动逻辑允许在脉冲跳变开始之前达到97%的占空比。
自动内部软启动充电器电流
每次充电器快速充电时，充电器都会自动软启动充电器调节电流，以确保输出电容器或电源转换器没有过冲或应力。软启动包括将充电调节电流分为八个等分步骤，直到编程的充电电流。每个步骤持续约1.6毫秒，典型上升时间为12.8毫秒。此功能不需要外部组件。
充电过流保护
充电器通过高侧感测场效应晶体管监控顶部MOSFET电流。当峰值电流超过MOSFET极限时，充电器关闭顶部MOSFET并保持关闭直到下一个周期。充电器具有二次循环对循环过电流保护。充电器监控充电电流，防止电流超过编程充电电流的160%。当检测到任何一个过电流情况时，高压侧栅极驱动关闭，当电流低于过电流阈值时，高压侧栅极驱动自动恢复。
电荷欠电流保护
充电后，如果SRP-SRN电压降低到5 mV以下，则低侧FET在剩余的开关周期内关闭。在不连续导通模式（DCM）中，当自举电容电压降至4V以下时，低侧场效应晶体管（FET）会在短时间内开启，为电容器提供刷新电荷。这对于防止负电感器电流引起任何升压效应是很重要的，在这种效应中，当电源从电池传输到输入电容器时，输入电压会增加。这可能导致AVCC节点上的过电压，并可能导致系统损坏。
电池检测
对于使用可拆卸电池组的应用，IC提供了电池缺失检测方案，以可靠地检测电池组的插入或移除。电池检测程序在通电时运行，或者如果电池电压由于卸下电池或放电而低于充电阈值电压。
一旦设备通电，一个8毫安的放电电流被施加到SRN终端。如果电池电压在1秒内降至低电压阈值以下，则关闭放电源，并在低充电电流（125毫安）下打开充电器。如果电池电压在500毫秒内上升到充电阈值以上，则电池不存在，循环重新开始。如果500 ms或1秒计时器在达到相应阈值之前超时，则检测到电池并启动充电循环。
确保电池节点处的总输出电容不太大，以致放电电流源在1秒放电时间内不能将电压拉到低电压阈值以下。可根据以下公式计算最大输出电容：
其中：
•CMAX是最大输出电容。
•IDISCH是放电电流。
•tDISCH是放电时间。
•R2和R1是从电池到FB引脚的电压反馈电阻器。
示例
对于3芯锂离子充电器，R2=500 kΩ，R1=100 kΩ（电压调节为12.6 V），IDISCH=8 mA，tDISCH=1秒。
根据这些计算，电池节点上的允许温度不应超过2200μF，以确保电池检测电路的正常工作。
电池短路保护
当SRN引脚电压低于2V时，即认为充电期间电池短路。充电器将立即关闭1ms，然后软启动回到与预充电电流相同的充电电流。这可以防止高电流可能内置在输出电感器中，并在充电期间电池端子短路时导致电感器饱和。在电池短路期间，转换器以非同步模式工作。
电池过电压保护
在蓄电池电压低于调节电压的102%之前，转换器将不允许高压侧FET接通。这允许对过电压条件作出1个周期的响应，例如在移除负载或断开电池时发生。从SRP/SRN到AGND的6-mA电流汇允许将存储的输出电感器能量放电，该能量被传输到输出电容器。如果蓄电池过电压状态持续30毫秒以上，则停止充电。
温度鉴定
控制器通过测量TS引脚和AGND之间的电压来持续监测电池温度。负温度系数热敏电阻（NTC）和外部分压器通常产生这种电压。控制器将该电压与其内部阈值进行比较，以确定是否允许充电。要启动充电循环，电池温度必须在VLTF到VHTF阈值范围内。如果电池温度在VLTF的温度范围内，等待电池充电结束。在充电循环期间，蓄电池温度必须在VLTF至VTCO阈值范围内。如果电池温度在VLTF的温度范围内，等待电池充电结束。控制器通过关闭PWM充电MOSFETS来暂停充电。图17总结了该操作。
假设电池组上有一个103AT的NTC热敏电阻，如图18所示，RT1和RT2的值可以通过方程10和方程11来确定：
为锂离子电池或锂聚合物电池选择0°C至45°C的温度范围，
r冷=27.28 kΩ
r热=4.911 kΩ
RT1=5.23kΩ
RT2=30.1kΩ
选择最接近的标准电阻值后，通过计算热敏电阻在温度阈值处的电阻值，可以从热敏电阻数据表温度电阻表中得到最终的温度范围。
MOSFET短路和电感器短路保护
集成电路具有短路保护功能。它的逐周期电流监测功能是通过监测MOSFET的Rdson电压降实现的。充电器将被锁定，但ACFET会继续为系统供电。将充电器从闩锁关闭状态重置的唯一方法是卸下适配器，然后再次插入适配器。同时，STAT闪烁以报告故障情况。
热调节和停机保护
QFN封装具有低的热阻抗，它提供了从硅到环境的良好热传导，以保持结的温度较低。内部热调节回路将使充电电流折回，以保持结温不超过120°C。作为额外的保护等级，当结温超过150℃的TSHUT阈值时，充电器转换器关闭并自我保护。充电器保持关闭状态，直到结温降至130℃以下。
定时器故障恢复
集成电路提供了一种处理定时器故障的恢复方法。以下总结了这种方法：
状况1：蓄电池电压高于充电阈值，出现超时故障。
恢复方法：当电池电压低于充电阈值时，定时器故障清除，开始电池检测。POR或采用低于40 mV的ISET也将清除故障。
情况2：蓄电池电压低于充电阈值，出现超时故障。
恢复方法：在这种情况下，IC向电池施加故障电流。此小电流用于检测蓄电池拆卸情况，只要蓄电池电压保持在充电阈值以下，该电流就会保持接通。如果蓄电池电压高于充电阈值，则IC将禁用故障电流并执行条件1中所述的恢复方法。POR或采用低于40 mV的ISET也将清除故障。
电感器、电容器和感测电阻器选择指南
集成电路提供内部回路补偿。在这个方案中，当IC的LC谐振频率fo大约为15khz到25khz时，稳定性最好。
表3总结了各种充电电流的典型LC元件。
充电状态输出
开路漏极状态输出指示表4中列出的各种充电器操作。这些状态引脚可用于驱动LED或与主机处理器通信。关表示开漏晶体管关断。
设备功能模式
bq2417x是一个独立的开关模式充电器与电源路径选择器。该设备可以通过合格的适配器运行，也可以通过电池为系统供电。动态电源管理（DPM）模式允许在具有更多动态系统负载的系统中有效地使用较小的适配器。
bq2417x设备在输入NMOS对ACFET（Q1）和RBFET（Q2）上提供电源路径选择器门驱动器ACDRV/CMSRC，在电池PMOS设备（Q3）上提供BATDRV。当有合格的适配器时，系统直接连接到适配器。否则，系统将连接到电池。此外，电源路径防止电池重新充电到输入端。
bq2417x具有DPM功能，当达到输入功率限制时，可降低充电电流，以避免适配器过载。一个高精度的电流感应放大器能够精确测量适配器的输入电流，从而监控整个系统的功率。
来自交流适配器或其他直流电源的总输入电流是系统电源电流和蓄电池充电电流的函数。系统电流通常随着部分系统通电或断电而波动。没有DPM，电源必须能够同时提供最大系统电流和最大可用充电器输入电流。输入电流调节器采用DPM，当系统功率和充电功率之和超过最大输入功率时，降低充电电流。因此，可以降低交流适配器的电流容量，从而降低系统成本。
虽然bq2417x是一个独立的充电器，外部控制电路可以有效地改变引脚设置，如ISET，ACSET，并使电池学习模式适应动态充电条件。
应用与实施
注意
以下应用章节中的信息不是TI组件规范的一部分，TI不保证其准确性或完整性。TI的客户负责确定组件的适用性。客户应验证和测试其设计实现，以确认系统功能。
申请信息
一个典型的应用包括一个bq24170或bq24172电源路径管理和从1到3电池系列锂离子或锂聚合物电池在各种各样的便携式应用。bq24170提供了一个固定的4.2v/电池（通过电池引脚可编程），具有最高的精确度和低泄漏，而bq24172提供可编程的电池电压（通过FB）引脚，以允许定制的电池调节电压。
典型应用
设计要求
对于本设计示例，使用表5中列出的参数作为输入参数。
详细设计程序
感应器选择
bq2417x具有1600 kHz的开关频率，允许使用小电感器和电容器值。电感器饱和电流应大于充电电流（ICHG）加上一半纹波电流（IRIPPLE）：
电感器纹波电流取决于输入电压（VIN）、占空比（D=VOUT/VIN）、开关频率（fs）和电感（L）：
最大电感纹波电流发生在D=0.5或接近0.5时。在实际设计中，通常将电感纹波设计在最大充电电流的20%到40%之间，作为电感尺寸和效率之间的折衷。
输入电容器
输入电容器应具有足够的纹波电流额定值，以吸收输入开关纹波电流。当占空比为0.5时，最坏情况下均方根纹波电流为充电电流的一半。如果转换器未在50%占空比下运行，则最坏情况下电容器均方根电流ICIN出现在占空比最接近50%的位置，并可通过以下等式进行估算：
低ESR陶瓷电容器（如X7R或X5R）是输入去耦电容器的首选，并且应尽可能靠近高侧MOSFET的漏极和低侧MOSFET的源。电容器的额定电压必须高于正常输入电压水平。对于15 V的输入电压，首选额定值为25 V或更高的电容器。对于典型的3-A到4-A的充电电流，建议使用20μF的电容。
输出电容器
输出电容器还应具有足够的纹波电流额定值，以吸收输出开关纹波电流。输出电容器均方根电流ICOUT为：
输出电容器电压纹波计算如下：
在一定的输入输出电压和开关频率下，通过增加输出滤波器LC可以减小电压纹波。
bq2417x有一个内部回路补偿器。为了获得良好的环路稳定性，输出电感和输出电容的谐振频率应设计为15khz～25khz。首选陶瓷电容器具有25-V或更高额定值，X7R或X5R。
输入滤波器设计
在适配器热插拔过程中，寄生电感和适配器电缆的输入电容构成一个二阶系统。AVCC引脚上的电压尖峰可能超过IC的最大额定电压并损坏IC。必须仔细设计和测试输入滤波器，以防止AVCC引脚上发生过电压事件。
有几种方法可以在适配器热插拔期间抑制或限制过电压尖峰。采用高ESR的电解电容器作为输入电容，可以有效地抑制低于IC最大pin电压额定值的过电压尖峰。一个高电流能力的TVS齐纳二极管也可以限制过电压水平到IC安全水平。然而，这两个解决方案可能不是最低的成本或最小的规模。
图20显示了一个经济高效的小型解决方案。R1和C1组成一个阻尼RC网络来抑制热插拔振荡。因此，过电压尖峰被限制在安全水平。D1用于AVCC引脚的反向电压保护。C2是AVCC引脚去耦电容器，应尽可能靠近AVCC引脚。R2和C2形成一个阻尼RC网络，进一步保护IC免受高dv/dt和高电压尖峰的影响。C2值应小于C1值，使R1占等效ESR值的优势，以获得足够的热插拔阻尼效果。根据电阻器制造商的数据表，R1和R2的尺寸必须足以处理冲击电流功率损失。滤波器元件值总是需要在实际应用中进行验证，并且可能需要进行微调以适应实际应用电路。
如果输入为5V（USB主机或USB适配器），则可以保存D1。如果输入反向插入，R2必须为5Ω或更高，以限制电流。
输入ACFET和RBFET选择
N型MOSFET用作输入ACFET（Q1）和RBFET（Q2），以获得更好的成本效益和小尺寸解决方案，如图21所示。通常，在PVCC节点上连接的总电容为50μH：bq2417x的buck变换器为10μF电容器，系统侧为40μF电容器。当插入有效适配器时，在Q1通电期间存在浪涌电流。降低Q1的导通速度可以通过选择具有相对较大的CGD和/或CGS的MOSFET将这种浪涌电流限制在理想的范围内。如果Q1开启过快，我们必须添加外部CGD和/或CGS。例如，EVM采用4.7-nF CGD和47 nF CG，而使用NexFET CSD17313作为Q1。
应用曲线
系统示例
电源建议
为了在系统上提供输出电压，bq24171需要4.5 V到17 V输入的电源，理想情况下，额定电流大于500 mA，连接到VBU；或者，连接到BAT的电压>VBATUVLO的单电池锂离子电池。
布局
布局指南
开关节点的上升和下降时间应最小化，以使开关损耗最小。部件的适当布局以最小化高频电流路径回路（见图26）对于防止电磁场辐射和高频共振问题非常重要。以下是正确布局的PCB布局优先级列表。根据这个特定的顺序来布置PCB是必要的。
1、将输入电容器尽可能靠近PVCC电源和接地连接，并使用最短的铜迹线连接。这些零件应该放在PCB的同一层上，而不是放在不同的层上，并使用通孔进行连接。
2、将电感器输入端子尽可能靠近SW端子。尽可能减小该轨迹的铜面积，以降低电场和磁场辐射，但应使该轨迹足够宽以承载充电电流。请勿将多层并行用于此连接。最小化从这个区域到任何其他轨迹或平面的寄生电容。
3、充电电流感应电阻应该放在电感输出的旁边。将穿过感测电阻的感测引线布线回同一层中的IC，彼此靠近（尽量减少回路面积），不要将感测引线穿过高电流路径（有关最佳电流精度的开尔文连接，请参见图27）。将去耦电容器放在IC旁边的这些线路上。
4、将输出电容器放在感应电阻输出和接地旁边。
5、在连接到系统接地之前，输出电容器接地连接必须与连接到输入电容器接地的铜线连接在一起。
6、将模拟接地与电源接地分开布线，并使用单个接地连接充电器电源接地和充电器模拟接地。就在集成电路下面使用模拟接地铜浇注，但避免电源引脚，以减少感应和电容噪声耦合。使用热垫作为单个接地连接点，将模拟接地和电源接地连接在一起，或使用0Ω电阻器将模拟接地连接到电源接地。强烈建议在热垫下使用星形连接。
7、将IC封装背面裸露的热焊盘焊接到PCB接地上是至关重要的。确保IC正下方有足够的热通孔，连接到其他层的接地层。
8、去耦电容器必须放置在IC管脚旁边，并使跟踪连接尽可能短。
9、过孔的数量和物理大小必须足以满足给定的当前路径。
布局示例
