束引线PIN二极管 技术数据 HMC773型 砷化镓单片集成电路基础 混频器,6-26千兆赫

元器件信息   2022-11-22 09:17   261   0  

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特征

高击穿电压典型120 V

低电容0.017 pF典型值

低电阻4.7Ω典型值

坚固的结构最小铅拉力4克氮化钝化

说明

HPND-4005平面梁引线PIN二极管的结构提供卓越的领先优势实现卓越的电气性能高频性能。高光束强度为用户提供优越的装配效率,同时极低的电容允许实现高度隔离。氮化钝化与聚酰亚胺涂层提供可靠的装置保护。

应用

HPND-4005梁导销二极管设计用于带状线或微带电路。应用包括交换,衰减,相移,限制和调节微波频率。这个HPND-4005型最大额定值工作温度-65°C至+175°C

储存温度-65°C至+200°C

TCASE=25°C时的功耗250兆瓦(175°C时线性减额至零。)

最小铅强度 每根导线拉4克

二极管安装温度:220°C,持续10秒。最大值。极低的电容HPND-4005是需要高隔离度的电路串联二极管结构。

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TA=25°C时的电气规范

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笔记:

1.根据串联配置中测量的隔离值计算的总电容。

2.对包装样品进行的试验。

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粘合和处理横梁程序铅二极管1.保管部在正常情况下,束流二极管的存储安捷伦供应华夫饼/凝胶包已经足够了。尤其是尘土飞扬或化学危险环境,建议储存在惰性atmo球形干燥器中。

2.处理为了避免损坏横梁引导设备,特别注意在检查期间行使,测试和组装。尽管光束引线二极管设计用于拥有超凡的领先优势小巧精致需要特殊处理观察技术以便设备不会受到机械或电气损坏。一个建议使用真空吸尘器用于拾取光束引导设备,尤其是较大的,例如。,四头肌。必须注意确保真空开启针头足够小避免设备通过穿过开口。27小费是建议提货单光束引线装置。20倍需要放大尖端的精确定位装置。真空吸尘器不使用捡拾器,锐化木质Q形端头浸异丙醇酒精是很常见的操作梁导装置。

3.打扫对于有机污染,使用三氯乙烷温水冲洗,或当地认可的同等产品,然后用丙酮和甲醇冷冲洗。干燥5-10红外加热灯在干净的滤纸上停留几分钟。氟利昂脱脂剂经批准的同等产品,可替换轻有机物用三氯甲烷污染。超声波清洗不是推荐。酸性溶剂不应使用。

4.粘合热压:见应用说明979“梁式引线的加工和连接设备变得简单”。这种方法仅适用于硬质基材。摆动:这种方法设备,把它放在基板并形成一个热压键操作。这在最新版本的MIL-STD-883,方法2017,用于仅硬基材。电阻焊或平行间隙焊在柔软的基底上焊接更容易,低压焊接头推荐。休斯提供合适的设备,工业产品部加利福尼亚州卡尔斯巴德。环氧树脂:无溶剂,低电阻率环氧树脂(可从阿布尔斯蒂克和改进配药设备,质量环氧树脂键足以很多应用程序。

5.铅应力在连接梁的过程中铅二极管,一定量“窃听”发生。术语窃听是指芯片提升在由于梁的变形粘合工具。这个效果是有助于缓解压力二极管热释压基底循环。这个部分膨胀系数基材,特别是柔软的基底如果电路是在极端温度下操作。厚金属包层地平面限制热膨胀X-Y中的介质基片轴心。然后,dielec tric的扩展将主要在Z轴,不影响光束引导装置。候补者双平面展开问题的解决方法是在束引线连接期间,将基板加热至所需的最大工作温度。因此,基板位于当设备已绑定。后继的基板冷却会导致窃听,类似于窃听热压焊或环氧树脂粘合。其他方法窃听正在预演线索装配或预应力期间基质。

典型应用

HMC773非常适合:点对点无线电点对多点无线电和VSAT测试设备和传感器军事最终用途

特征

无源:无需直流偏置

高输入IP3:+22 dBm

高LO/RF隔离度:38db

宽中频带宽:DC-10GHz

上转换和下转换应用程序

模具尺寸:1.37 x 0.96 x 0.1 mm

HMC773是通用双平衡可作为上变频器或6到26千兆赫之间的下变频器。这个搅拌机不需要外部组件或匹配的电路。HMC773为射频和由于优化了巴伦结构而产生的LO-IF隔离。混频器的LO驱动电平为+13dbm。HMC773宽带混频器表现出一致性转换增益和带宽压缩。HMC773也有SMT格式HMC773LC3B。

电气规范,TA=+25°C,IF=0.5GHz,LO=+13dBm*

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除非另有说明,否则所有测量均作为下变频器进行,如果=0.5 GHz,LO=+13 dBm

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毫米波GaAs单片集成电路的安装与键合技术模具应直接与地平面共析或导电环氧树脂(见HMC一般处理、安装、粘合说明)。0.127mm(5 mil)厚氧化铝薄膜上的50欧姆微带传输线建议使用基板将射频带进或带出芯片(图1)。如果必须使用0.254mm(10 mil)厚的氧化铝薄膜基板,模具应凸起0.150 mm(6 mils),使模具表面与基板表面共面。实现此目的的一种方法是连接0.102mm(4 mil)0.150 mm(6 mil)厚钼热撒布器(含钼片)的厚模具然后连接到地平面(图2)。微带基板应尽可能靠近模具,以便以最小化带状粘合长度。典型的模具与基板间距为0.076mm(3密耳)。宽度为0.075 mm(3 mil),最小长度小于0.31 mm的金带建议(<12 mils)以最小化射频、低通和中频端口上的电感。

操作注意事项

遵循这些预防措施以避免永久性损坏。存储:所有裸模都放置在华夫饼或凝胶型防静电装置中集装箱,然后密封在防静电保护袋中以便装运。一旦密封的防静电保护袋已打开,所有模具应存放在干燥的地方氮环境。清洁:在清洁的环境中处理芯片。不要试图清洁芯片采用液体清洗系统。静电敏感度:遵循ESD预防措施,以防止>?50V ESD袭击。瞬变:施加偏置时抑制仪器和偏置电源瞬变。使用屏蔽信号电缆和偏置电缆,以尽量减少感应拾波。一般处理:用真空夹头或一对锋利的弯曲镊子。芯片表面有脆弱的气桥不得用真空夹头、镊子或过滤器接触。安装芯片背面金属化,可以用AuSn共晶预制件或导电环氧树脂模具安装。安装表面应清洁、平整。共晶模具连接:建议使用80/20金锡预制件,工作表面温度为255°C,工具温度为265°C。当使用热90/10氮气/氢气时,刀尖温度应为290°C。不要露出切屑温度超过320°C超过20秒。不需要超过3秒的擦洗附件。环氧树脂模具连接:在安装表面涂上最小量的环氧树脂,以便在芯片放置到位后的周长。按照制造商的时间表固化环氧树脂。引线键合建议使用0.003“x 0.0005”带制作射频键。这些键应该用、40-60克。推荐使用直径为0.001”(0.025 mm)的热熔接直流键。应进行钢珠粘合用40-50克的力和18-22克的楔形键。所有键合应在150的标称阶段温度下进行摄氏度。应使用最小量的超声波能量来实现可靠的结合。所有的债券都应该尽可能的短,小于12 mils(0.31 mm)。


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