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ADR512点击型号即可查看芯片规格书
特征
精度1.200 V电压基准；超紧凑型3 mm×3 mm SOT-23封装，无需外部电容器；低输出噪声：4微伏p-p（0.1赫兹至10赫兹）；初始精度：最大±0.3%；温度系数：最大60 ppm/℃；工作电流范围：100微安至10毫安；输出阻抗：最大0.3Ω；温度范围：-40°C至+85°C。
应用
精密数据采集系统电池供电设备：手机、笔记本电脑、PDA和GPS；3 V/5 V，8/12位数据转换器；便携式医疗器械；工业过程控制系统；精密仪器。
一般说明
ADR512是一款超小型（3 mm×3 mm）SOT-23封装中的低电压（1.200 V）精密并联模式参考电压源，专为空间关键应用而设计。ADR512具有低温漂移（60 ppm/℃）、高精度（±0.30%）和超低噪声（4μV p-p）性能。
ADR512的先进设计消除了对外部电容器的需求，但它在任何电容负载下都是稳定的。最小工作电流从不足100微安增加到最大值为10毫安。这种低工作电流和易用性使得ADR512非常适合手持电池供电的应用。
ADR512上有一个微调端子，可在不影响设备温度系数的情况下，将输出电压调整到±0.5%以上。这一特性为用户提供了消除任何系统错误的灵活性。
规格
电气特性
IIN=100微安到10毫安@TA=25°C，除非另有说明。
绝对最大额定值
在绝对最大额定值以上列出的应力可能对设备造成永久性损坏。这仅是一个应力额定值；设备在本规范操作章节所述条件或以上任何其他条件下的功能操作并不意味着。长时间暴露于绝对最大额定值条件可能影响器件可靠性。
热阻
θJA是为最坏情况而指定的，即焊接在用于表面安装封装的电路板中的设备。
典型性能特征
参数定义
温度系数
这是输出电压相对于工作温度变化的变化，通过25°C下的输出电压进行标准化。该参数用ppm/°C表示，可通过以下方程式确定：
其中：VO（25c）=25℃时的VO VO（T1）=1℃时的VO；VO（T2）=温度2时的VO。
热滞后
热滞后定义为输出电压的变化设备在+25°C温度下循环后至-40°C至+85°C并返回+25°C。这是一个典型值从经过这样一个循环的零件样本中提取。
其中，VO（25（C）=25（C）VO，25.C.温度循环后，在+25.C.到+85.C.再回到+25.C。
应用程序部分
ADR512是1.2V精密并联电压基准。它的设计是在正负极之间没有外部输出电容器的情况下运行，以保持稳定性。外部电容器可用于电源的附加滤波。与所有并联电压参考一样，外部偏置电阻器（R）要求在电源电压和ADR512之间（见图2）RBIAS设置通过负载（IL）和ADR512（IQ）所需的电流。负载和电源电压可以变化，因此选择RBIA的依据是偏倚RBIAS必须足够小，即使在电源电压处于最小值且负载电流处于最大值时，也可以向ADR512提供最小IQ电流。
RBIAS还需要足够大，使得IQ不超过10毫安，当电源电压处于最大值且负载电流处于其最小值时。
给定这些条件，rbia由ADR512的电源电压（VS）、负载和工作电流（IL和IQ）以及ADR512的输出电压确定。
可调精密电压源
ADR512与AD8610等精密低输入偏置运算放大器结合，可用于输出精确可调的电压。图11说明了使用ADR512实现这个应用程序。
运算放大器的输出VOUT由电路的增益决定，它完全依赖于电阻器R2和R1。
可以添加与R2并联的附加电容器以滤除高频噪声。C2的值取决于R2的值。
输出电压微调
使用机械或数字电位器，ADR512的输出电压可以调整为±0.5%。图12中的电路说明了如何使用10 kΩ电位计来调整输出电压。
将ADR512与精密数据转换器结合使用
紧凑的ADR512封装和器件的低最低工作电流要求，使其非常适合用于使用精密数据转换器的电池供电便携式仪器，如AD7533 CMOS乘法DAC。
图13显示了作为AD7533（CMOS乘法DAC）外部参考的ADR512。这样的DAC需要负电压输入以提供正输出范围。在该应用中，ADR512向AD7533的REF输入提供-1.2v参考电压。
精确的负电压基准
ADR512适用于需要精确负电压基准的应用，包括图13中详述的应用。
图14显示了配置为提供-1.2V输出的ADR512。
由于ADR512的特性类似于齐纳二极管的特性，因此图14中所示的阴极相对于阳极将高出1.2V（相对于ADR512封装上的V-，V+）。由于ADR512的阴极接地，阳极必须为-1.2V。
应选择图14中的R1，以便提供100μA至10毫安的电流，以适当偏置ADR512。
电阻R1的选择应使功耗最小。一个理想的电阻值可以通过操纵方程5来确定。
