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特征
工业标准插脚4.5-V至18-V工作范围VDD=12 V时的3-A峰值接收器/源；VOUT=6 V时的2.4 A峰值接收器/1.6-A源；TTL或CMOS输入阈值的选择四种版本的双独立驱动程序：-双反转+启用（FAN3226）-双非反转+启用（FAN3227）-Tw o引脚输出配置中的双输入：o与FAN3225x（FAN3228）兼容o与TPS2814D（FAN3229）兼容如果没有输入，内部电阻器关闭驱动器MillerDrive8482;技术12 ns/9 ns典型上升/下降时间（1-nF负载）；20 ns典型传播延迟匹配到另一个通道有1ns并联通道的双电流能力8-引线3x3 mm MLP或8-引线SOIC封装环境温度为-40°C至+125°C汽车符合AEC-Q100（F085版）
应用
软件痒模式电源高效MOSFET开关瘙痒同步整流电路直流-直流转换器电机控制服务器汽车合格系统（F085版）
说明
FA N3226-29双2a门驱动器系列设计用于驱动N通道增强模式mosfet在低端sw瘙痒应用中的应用在短时间内提供高峰值电流脉冲sw间隔。司机有两种选择TTL或CMOS输入阈值。内部电路通过保持提供欠压锁定功能输出低，直到电源电压在工作范围。此外，驱动程序特性与A和B通道之间的内部传播延迟对于需要双栅极驱动器的应用定时，如同步整流器。这使得并行连接tw o驱动程序以实现高效的双重驱动单个MOSFET的电流能力。FA N322X驱动程序包含MillerDrive™最终输出阶段的体系结构。这种双极性mosfet组合在MOSFET开关的Miller平台级使开关损耗最小化的过程，同时提供轨对轨电压开关和反向电流能力。FAN3226提供两个反转驱动器和FA N3227提供tw o非反转驱动器。每台设备具有双独立启用管脚，默认为打开未连接。在FAN3228和FAN3229中，每个通道具有相反极性的双输入允许使用使用第二个输入的可选启用功能。如果有或者两个输入都没有连接，内部电阻对输入进行偏压，以便将输出拉低以保持功率MOSFET关断。
笔记：2.由热模拟得出的估计值；实际值取决于应用。3.ThetaΘJL（ΘJL）：半导体结与所有引线（包括热焊盘），通常焊接到PCB上。4.ThetaΘJT（ΘJT）：半导体结与封装上表面之间的热阻，假设是由顶部的散热片保持在均匀的温度。5.ThetaΘJA（ΘJA）：连接和环境之间的热阻，取决于PCB设计、散热和气流。给定值是针对使用2S2P板的无散热器自然对流，如JEDEC标准JESD51-2所规定，JESD51-5和JESD51-7（视情况而定）。6.Psi_JB（ΨJB）：提供半导体结温度和注5中定义的热环境的应用电路板参考点。对于MLP-8包，董事会参考被定义为连接到热垫并从封装两端伸出的PCB铜。对于SOIC-8封装时，电路板参考被定义为PCB铜线附近的引脚6。7号。Psi_JT（ΨJT）：提供半导体结温度与注5中定义的热环境的包装顶部中心。
应用程序信息输入阈值FA N322x驾驶员系列的每个成员包括可独立使用的tw o相同信道额定电流或并联单个电流容量。在FA N3226和FA N3227，通道A和B可以启用或禁用分别独立使用ENA或ENB。英国对于带有CMOS或TTL输入阈值。如果ENA和ENB不是连接后，内部上拉电阻器使驱动器默认情况下为频道。如果通道A和通道B输入和输出并联以增加驱动器电流容量，ENA和ENB应为连接在一起，一起驱动。FA N322x系列提供TTL或CMOS输入阈值。在FA N322xT中，输入阈值满足行业标准TTL逻辑阈值与VDD电压无关磁滞电压约为0.4 V。允许从一系列输入逻辑驱动输入考虑电压超过2V时的信号电平逻辑高。TTL输入的驱动信号应具有快速上升和下降的边缘，回转率为6 V/微秒或更快，因此从0到3.3 V的上升时间应为550纳秒或更少。降低了回转率和电路噪声可能导致驱动器输入电压超过滞后电压和重新触发驱动器输入，导致操作不稳定。在FA N322xC中，逻辑输入阈值为根据VDD水平和12 V的VDD逻辑上升沿阈值约为VDD的55%输入下降沿阈值近似38%的VDD。
CMOS输入配置提供迟滞电压约为VDD的17%。这个CMOS输入可以使用相对缓慢的边缘（接近直流）如果良好的去耦和旁路系统设计中包含的技术防止噪声破坏输入电压滞后窗口。这允许通过在控制信号和司机的插销。缓慢上升的边缘驱动器的pin在控制信号和驱动器的输出引脚。静态供电电流在IDD（静态）典型性能特性中生成曲线时，所有输入/启用浮动（OUT低）指示est静态IDD电流低对于测试的配置。对于其他州，附加电流流过输入端上的100 kΩ电阻器输出在各部分的框图中显示为n。在这些情况下静态IDD电流是从曲线中获得的值加上这个附加电流。
MillerDrive™门驱动技术FA N322x门驱动器包含MillerDrive™体系结构如图所示。对于输出级，a双极和MOS器件的结合提供了在电源电压和温度变化。双极器件携带在1/3到2/3之间的大部分电流输出开关VDD和MOS器件将输出拉高或低轨。MillerDrive™体系结构的目的是通过在Miller平台区的栅漏电容MOSFET作为打开/关闭过程。对于在MOSFET开关间隔，驱动器为快速开关提供高峰值电流尽管米勒高原不存在。这种情况在同步整流器应用中经常出现因为体二极管通常在MOSFET被开关接通了。输出引脚转换率由VDD电压决定以及输出的负载。它不是用户可调的，但是如果电流变慢的上升或下降时间，可以增加串联电阻需要在MOSFET栅极处。
欠压闭锁FAN322x启动逻辑经过优化，可驱动低电压接地N通道mosfet锁定（UVLO）功能，确保IC启动以有序的方式。当VDD上升，但低于3.9V工作电压，该电路保持低输出，不管输入管脚的状态如何。在那部分之后激活时，电源电压必须在部分关闭道恩。这种滞后有助于防止震颤当低VDD电源电压有来自电源开关发痒。此配置不适合驱动高边P沟道mosfet是因为驱动器的输出电压将转动P通道VDD低于3.9 V的w上的MOSFET。
VDD旁路电容器指南为了使这个集成电路能够快速地打开一个器件，一个具有低ESR和ESL的本地高频旁路电容器CBYP w应连接在VDD和GND引脚之间具有最小的跟踪长度。这个电容器是体积电解电容一般为10至47微F可在驱动器和控制器偏置电路上找到。选择CBYP值的一个典型标准是保持VDD电源上的纹波电压小于等于5%这个通常在值大于等于20倍时达到负载电容CEQV，这里定义为QGATE/VDD。0.1μF至1μF或更大的陶瓷电容器常见的选择，如X5R和具有良好温度特性和高脉冲电流能力。如果电路噪声影响正常工作，则CBYP可增加到CEQV的50-100倍，或CBYP可分为tw-o电容器。
一个应该是基于等效负载电容的较大值，以及另一个较小的值，如1-10nf安装最靠近VDD和GND引脚，以携带更高的电流脉冲的频率成分。这个旁路电容器必须提供来自两个驱动程序通道，如果驱动程序sw同时发，复合峰值电流来自CBYP的冰应该和w-hen一样大一个通道是sw-itching。布局和连接指南FA N3226-26系列门驱动器包括快速反应输入电路，短传播延迟，以及能够输出电流的功率级峰值超过2 A以促进电压转换时间低于10纳秒到超过150纳秒。以下布局和强烈建议使用连接指南：保持高电流输出和电源接地路径分离逻辑并启用输入信号和信号地面路径。这尤其重要在驱动程序中处理TTL级逻辑阈值输入和启用引脚。让驾驶员尽可能靠近负载最大限度地减少高电流记录道的长度。这个减少串联电感以改善高速开关瘙痒，同时减少可向驱动器输入和周围的电路。如果通道的输入不是外部的已连接，指示内部100 kΩ电阻器在方块图上命令低输出。在嘈杂中在环境中，可能需要将一个未使用的信道，使用短的防止噪音引起杂散的痕迹输出开关。许多高速电源电路可能受到影响从它们的输出或其他外部源，可能导致输出重新触发。如果电路在实验板或非最佳电路中测试具有长输入、启用或输出引线的布局。为了最好的结果，使所有插脚的连接尽可能短尽可能直接。
风扇322X与许多其他产品兼容行业标准驱动因素。在单输入部件中启用引脚，有一个内部100 kΩ电阻连接到VDD以默认启用驱动程序；这应该是在PCB布局中考虑。接通和断开电流路径应最小化，如下一节所述。图显示了脉冲栅极驱动电流路径当栅极驱动器提供栅极充电以转动MOSFET打开。电流由本地提供旁路电容器、CBYP和流经驱动器的s流MOSFET栅极与接地。达到顶峰可能的峰值电流，电阻和电感路径应该最小化。局部CBYP行为将峰值电流脉冲包含在驱动器组电路中，防止它们干扰PWM控制器中的敏感模拟电路。
图显示了门驱动器的当前路径关闭MOSFET。理想情况下，司机调车直接到MOSFET源的电流回路回路。对于快速关闭时间，电阻和此路径中的电感应最小化。
