说明Vnd670SP是一种单片器件，采用STMicroelectronics ViPower技术M0-3制造，用于驱动全桥电机配置该器件集成了两个高侧结构的30mΩ功率mosfet，并为两个用作低侧开关的外部功率mosfet提供栅极驱动。INA和INB允许选择顺时针或逆时针驱动或制动；DIAGA/ENA、DIAGB/ENB允许禁用一个半桥和反馈诊断。内置热关机，结合电流限制器，在超温和短路情况下保护芯片。对电池短路保护外部连接的低侧功率mosfet。
电流和电压惯例
直流至10khz pwm操作的典型应用电路
20kHz脉冲宽度调制操作的典型应用电路
波形和真值表（续）
在故障情况下，设备将DIAGX/ENX管脚视为输出管脚故障条件为：一侧或两侧温度过高；输出对蓄电池短路（外部连接的功率MOSFET上的饱和检测）可能的故障原因可能是：OUTA对地短路--->A高压侧过热检测。OUTA对VCC短路--->外部功率mosfet饱和检测（由GATEA驱动）。当检测到故障情况时，用户可以通过监视INA、INB、DIAGA/ENA和DIAGB/ENB引脚来知道哪个电源元件有故障。在任何情况下，当检测到故障时，故障的半桥被锁定要再次打开相应的输出（gatex或outx），输入信号必须从低电平上升到高电平。
测试模式-脉宽调制引脚允许测试两个半桥之间的负载连接。在测试模式（Vpwm=-2V）下，外部电源Mos门驱动器被禁用INA或INB输入允许分别接通高压侧A或B，以便在VCC电压下连接负载的一侧。通过检查负载另一侧的电压，可以验证负载连接的连续性。在负载断开的情况下，对应于故障输出的DIADX/ENX引脚被拉下。
