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概述
W29GL128C并行闪存为需要更好性能、更低功耗和更高密度的嵌入式系统应用提供了存储解决方案。该设备的随机访问速度为90ns，快速页面访问速度为25ns，程序和擦除时间也比目前市面上的产品快得多。W29GL128C还提供了一些特殊功能，如使设备成为行业标准的兼容制造商ID
兼容，无需更改固件。
2特点
8226;–共128个统一部门64K字/128K字节统一扇区体系结构
•。32字/64字节写缓冲区
–减少多个单词更新的总程序时间
•。8字/16字节页读取缓冲区
•。安全硅领域
–由客户或在生产过程中编程和锁定
–128字/256字节扇区，使用8字/16字节随机电子序列号进行永久安全识别
•。使用增强的扇区保护
动力和独立机构
•。轮询/切换方法用于检测程序状态和擦除操作
•。用于程序和擦除操作的挂起和恢复命令
•。超过100000次擦除/程序周期
•。20年以上的数据保留
•。软硬件写保护
–写保护全部或部分内存
–使用WP引脚启用/禁用保护
–顶部或底部阵列保护
•。低功耗
•。深功率下降模式
•。宽温度范围
•–无需更改固件可替换的兼容制造商ID
•。更快的擦除和编程时间
–擦除速度比行业标准快1.5倍
–程序比行业标准快2倍
–允许提高生产吞吐量和更快的现场更新
•。支持CFI（通用闪存接口）
•。单3V读取/编程/擦除（2.7-3.6伏）
•。增强的可变IO控制
–所有输入电平（地址、控制和dq）和输出电平由evio输入上的电压决定。evio范围从1.65到vcc
•。#WP/ACC输入
–加快编程时间（当使用VHH时），以提高系统生产期间的吞吐量
–保护第一个或最后一个扇区，而不考虑扇区保护设置
•。硬件重置输入（重置）重置设备
•。就绪/忙输出（ry/by）检测程序完成或擦除周期
•。包装
框图
读取阵列数据
通电或重置操作后的默认状态是读取模式。
若要执行读取操作，请通过设置“CE”、“OE活动”和“WE高”来启用芯片。同时，在地址行上提供所需的地址或状态寄存器位置。在满足TCE和前束定时要求后，系统读取数据IO引脚上的寻址位置内容。如果设备或其输出未被高电平的CE或OE启用，则数据IO引脚上的输出数据将无法访问，并且输出将保持在三态状态。
当设备成功完成嵌入式存储器操作（即程序、自动芯片擦除或扇区擦除）时，它将返回到读取模式，并从存储器阵列中的任何地址读取数据。但是，如果嵌入式操作未能完成，则通过验证操作期间状态寄存器位dq5（超过时间限制标志）变高，此时系统应执行复位操作，使设备返回读取模式。
某些操作状态需要重置操作才能返回读取模式，例如：
•程序期间的超时条件或擦除失败条件，由运行期间状态寄存器位DQ5变高指示。在这两种状态中的任何一种出现故障都会阻止设备自动返回到读取模式。
•在设备自动选择模式或CFI模式期间，需要重置操作来终止其操作。
在上述两种情况下，除非执行复位操作（硬件复位或软件复位指令），否则设备不会返回到读取模式，否则系统将无法读取阵列数据。
如果设备在扇区擦除状态下接收到擦除挂起指令，则设备将进入擦除挂起读取模式。在进入擦除挂起读取模式之前，擦除操作将暂停（在不超过20微秒的时间延迟之后）。此时，可以对数据进行编程或从任何未被擦除的扇区读取数据。另一种验证设备状态的方法是读取被擦除扇区内的地址。这将只提供状态寄存器的内容。
当程序操作成功完成时，有效扇区的擦除挂起读取模式中的程序操作将自动返回擦除挂起读取模式。
必须执行擦除恢复指令以退出擦除暂停读取模式，此时将恢复挂起的擦除操作。除非收到另一条擦除挂起指令，否则擦除操作将在其停止的位置继续，直到成功完成。
页面模式读取
页面模式读取的页面大小为16字节或8个字。较高的地址a[22:3]访问所需的页面。要访问页面中的特定字或字节，可通过[2:0]选择字模式，并通过[2:0，A-1]选择字节模式。页面模式可以通过保持“页面读取地址”不变和更改“内部读取页面”地址来打开。页面访问时间为taa或tce，然后是页面读取时间的tpa。当CE切换时，访问时间为TAA或TCE。
设备复位操作
将复位引脚拉低等于或大于trp的时间将使设备返回读取模式。如果设备正在执行程序或擦除操作，则在设备返回到读取模式之前，重置操作最多需要执行一段时间1。Ry/by管脚将保持低位（忙碌状态），直到设备返回读取模式。
注意，如果复位引脚保持在大于GND+0.3V且小于或等于VIL的电压下，则设备会消耗更大的电流。当复位引脚保持在GND±0.3V时，设备仅消耗复位（ICC5）电流。
建议将系统复位信号连接到闪存的复位引脚。这允许设备与系统一起重置，并使其处于系统可以立即开始从中读取引导代码的状态。
在下列情况下，执行重置指令将设备重置回读取模式：
•在擦除指令序列期间，在完整指令集完成之前。
•扇区擦除超时期
•当DQ5高时，擦除失败。
•在程序指令序列期间，在完整指令集完成之前，包括擦除挂起的程序指令。
•程序失败，而DQ5是高以及擦除暂停程序失败。
•自动选择模式
•CFI模式
•当设备处于自动选择模式或CFI模式时，或当存在程序或擦除故障（DQ5高）时，用户必须发出重置指令，将设备重置回读取模式。
•当设备执行编程（非编程失败）或擦除（非擦除失败）功能时，设备将忽略重置命令。
待机模式
当复位和CE都被驱动到VCC±300毫伏（非活动状态）时，进入待机模式。此时，无论WE或OE引脚的状态如何，输出引脚都处于高阻抗状态，设备将消耗最小的备用电流（ICC4）。如果在擦除或编程操作过程中取消选择设备，则设备将吸取活动电流，直到操作完成。
输出禁用模式
oe管脚控制数据io管脚的状态。如果oE驱动高（VIH），则所有数据IO引脚将保持高阻抗，如果驱动低，则数据IO引脚将驱动数据（oE对ry/by输出引脚没有影响）。
写入操作
要执行写操作，芯片使能（CE）引脚驱动低，输出使能（OE）拉高，以使数据IO引脚禁用到高阻抗状态。所需的地址和数据应出现在相应的管脚上。地址锁定在“我们”或“我们”的下降沿上，数据锁定在“上升沿”或“我们”或“我们”的上升沿上。要查看示例，请参考图8-5和图8-15中的时序图。如果一条无效的写入指令（未在此数据表中定义）被写入设备，它可能会使设备处于未定义状态。
字节/字选择
要在字节或字模式之间进行选择，字节输入引脚用于选择如何在数据IO引脚上输入/输出数据以及阵列数据的组织。如果字节引脚被驱动为高电平，则选择字模式，所有16个数据IO引脚都将激活。如果字节被拉低，字节模式将激活，只有数据IO DQ[7:0]将激活。其余的数据IO引脚（DQ[14:8]）将处于高阻抗状态，DQ15成为A-1地址输入引脚。
存储器阵列的自动编程
要以字节或字模式对存储器阵列进行编程，请参阅指令定义表，以获取正确的周期定义指令，这些指令包括2个解锁指令周期、a0h程序周期指令以及包含指定地址位置和字节或字所需数据内容的后续周期。然后启动嵌入式算法自动编程数组。
一旦程序指令序列被执行，内部状态机开始执行编程和单元验证所需的算法和定时。此操作包括生成合适的程序脉冲、检查单元阈值电压（VT）裕度，如果任何单元未通过验证或具有可接受的裕度，则重复的程序脉冲序列将再次循环。内部处理机制将防止通过裕度和验证测试的单元被过度编程，方法是禁止进一步的程序脉冲通过单元，因为失败的单元将继续通过内部编程序列运行，直到通过。
此功能允许用户只执行一次自动编程序列，设备状态机负责程序和验证过程。
编程期间的数组位只能将位状态“1”（擦除状态）更改为“0”（编程状态）。不能用编程操作进行反向操作。这只能通过首先执行擦除操作来完成。请记住，内部写验证只在“1”未成功编程为“0”的情况下检查和检测错误。
在嵌入式编程算法过程中，写入设备的任何命令都将被忽略，除了硬件重置或程序挂起指令。硬件重置将在不超过10微秒的一段时间后终止程序操作。如果在执行程序挂起的情况下，设备将进入程序挂起读取模式。当嵌入式程序算法完成或硬件复位终止程序时，设备将返回读取模式。
一旦嵌入式程序操作开始，用户可以通过读取状态寄存器中的以下位来检查是否完成：
嵌入式程序运行期间的轮询
笔记
一。Ry/by是一个开路漏极输出引脚，应通过一个高值上拉电阻器连接到VCC。
擦除内存阵列
扇区擦除和芯片擦除是在存储器阵列上执行的两种可能的擦除操作。扇区擦除操作擦除一个或多个选定扇区，这可以同时进行。除任何受保护的扇区外，芯片擦除操作会擦除整个内存阵列。
扇区擦除
扇区擦除操作将内存中所有选定扇区返回到“1”状态，从而有效地清除所有数据。此操作需要六个指令周期才能开始擦除操作。解锁序列是前两个周期，接着是配置周期，第四和第五个也是“解锁周期”，扇区擦除指令是第六个周期。一旦扇区擦除指令序列完成，就启动内部50微秒超时计数器。在此期间，可以发出额外的扇区地址和扇区擦除命令，从而允许同时选择和擦除多个扇区。一旦50微秒超时计数器达到其极限，将不接受额外的命令指令，并开始嵌入式扇区擦除算法。
注意，50微秒超时计数器在每个扇区擦除指令序列之后重新启动。如果在超时期间尝试除扇区擦除或擦除挂起以外的任何指令，设备将中止并返回到读取模式。
一旦嵌入式扇区擦除算法开始，除擦除挂起或硬件重置外的所有指令都将被忽略。硬件重置将中止擦除操作并使设备返回读取模式。
嵌入式扇区擦除操作期间的轮询
笔记
1. dq3状态位是50微秒超时指示器。当dq3＝0时，50微秒超时计数器尚未达到零，可以发出新的扇区擦除指令来指定要擦除的另一个扇区的地址。当dq3＝1时，50微秒超时计数器已过期，扇区擦除操作已开始。擦除挂起是唯一有效的指令，可能会发出一旦嵌入式擦除操作正在进行。
2. Ry/by是一个开路漏极输出引脚，应通过一个高值上拉电阻器连接到VCC。
3. 当试图仅擦除受保护扇区时，擦除操作将中止，从而防止受保护扇区中的任何数据更改。DQ7将输出“0”，DQ6将在中止并将设备返回到读取模式之前短暂切换（100微秒或更少）。但是，如果还指定了未受保护的扇区，则它们将被正常擦除，受保护的扇区将保持不变。
4. dq2是一个本地化指示器，显示指定扇区是否正在进行擦除操作。当用户在扇区正在被擦除（在擦除模式下）或要擦除（在擦除挂起模式下）的地址读取时，dq2切换。
芯片擦除
芯片擦除操作将包含位状态“0”的所有存储器位置返回到“1”状态，从而有效地清除所有数据。此操作需要六个指令周期才能开始擦除操作。解锁序列是前两个周期，接着是配置周期，第四和第五个也是“解锁周期”，第六个周期启动芯片擦除操作。
一旦芯片擦除算法开始，将不接受其他指令。但是，如果执行硬件复位或工作电压低于可接受的水平，芯片擦除操作将终止并自动返回到读取模式。
嵌入式芯片擦除算法状态可通过以下方式进行验证：
嵌入式芯片擦除操作期间的轮询
笔记
Ry/by是一个开放式漏极引脚，应通过一个高值上拉电阻器连接到VCC。
清除暂停/恢复
如果正在进行扇区擦除操作，则擦除挂起指令是可能发出的唯一有效指令。一旦在扇区擦除指令之后的50微秒超时期间执行擦除挂起指令，超时期间将立即终止，设备将进入擦除挂起读取模式。如果扇区擦除操作开始后执行擦除挂起指令，设备将不会进入擦除暂停读取模式，直到大约20秒s（5秒s典型）时间过去。要确定设备已进入擦除挂起读取模式，请使用dq6、dq7和ry/by status来验证设备的状态。
一旦设备进入擦除挂起读取模式，就可以读取或编程任何扇区，除了那些被擦除操作擦除的扇区。当试图读取在挂起模式下计划擦除或编程的扇区时，只有状态寄存器的内容存在。在发出另一条擦除指令之前，必须执行恢复指令，并建议检查DQ6切换位状态。
可以验证状态寄存器位以确定设备的当前状态：
嵌入式擦除挂起期间的轮询
在擦除挂起模式下，除扇区和芯片擦除外，还可以执行读硅id、扇区保护验证、程序、cfi查询和擦除恢复等指令集。
扇区擦除恢复
只有在擦除挂起读取模式下，扇区擦除恢复指令才是有效的命令。一旦擦除恢复，就可以执行另一个擦除暂停指令，但是在擦除恢复和下一个擦除暂停指令之间允许400微秒的间隔。
程序暂停/恢复
一旦程序操作正在进行，程序挂起就是可能执行的唯一有效指令。在执行程序挂起指令后，可以通过检查ry/by和dq6来验证设备是否已进入程序挂起读取模式。编程应停止在15μs的最大值（5μs的典型值）。
任何扇区都可以读取，除了那些被程序挂起的扇区。试图读取程序挂起的扇区无效。在执行另一个程序操作之前，必须执行恢复指令，并且必须验证DQ6切换位状态。使用下表中显示的状态寄存器位确定设备的当前状态：
程序挂起读取程序挂起扇区
嵌入式程序挂起期间的轮询
在程序/擦除挂起模式下，也可以执行指令集，如读取硅id、扇区保护验证、程序、cfi查询。
程序恢复
程序恢复指令仅在设备处于程序挂起模式时有效。程序恢复后，可以执行另一个程序挂起指令。确保程序恢复和下一个挂起指令之间至少有5微秒的间隔。
写缓冲区编程操作
写缓冲区编程操作，在两步编程操作中编程64字节或32字。要开始执行写缓冲区编程，请从前两个解锁周期开始，第三个周期写入编程扇区地址目的地，然后写入缓冲区加载指令（25h）。第四个循环重复扇区地址，而写入数据是要写入的预期字位置数减去1。（例如，如果要写入的字位置数为9，则该值将为8h。）第5个周期是第一个起始地址/数据集。这将是第一对被编程和随后，设置“写缓冲页”地址。对要写入缓冲区的每个附加地址/数据集重复周期5格式。请记住，所有集合必须保持在写缓冲区页地址范围内。否则，操作将中止。
第二步是对写缓冲页的内容进行编程。这是通过一个周期完成的，包含在步骤1中使用的扇区地址和“写入缓冲区程序确认”指令（29h）。
标准的挂起/恢复命令可以在写缓冲区操作期间使用。此外，一旦写缓冲区编程操作完成，它将返回到正常的读取模式。
写缓冲区编程可以按任何顺序进行。然而，当程序运行进行时，CFI功能、自动选择、安全硅扇区不起作用。在同一个写缓冲区地址范围内的多个写缓冲区编程操作无需干预擦除是可访问的。写入缓冲区地址范围内的任何位都不能从0编程回1。
缓冲区写入中止
如果发生以下情况，写缓冲区编程序列将中止：
•在“要编程的位置数”期间，单词计数减去加载的一个大于页面缓冲区大小（32）。
•写入的扇区地址与写入缓冲区加载指令期间指定的扇区地址不同。
•如果地址/数据集不在循环5的第一个初始写缓冲页设置的写缓冲页范围内，请选择地址/数据集。
•在指定的“数据加载”循环次数后，没有“程序确认指令”。
写入缓冲区中止后，状态寄存器将为dq1=1，dq7=data 35;（最后加载的地址），dq6=toggle，dq5=0。此状态表示写入缓冲区编程操作已中止。必须写入写入缓冲区中止重置指令序列，才能将设备重置回读取阵列模式。
轮询缓冲区写入中止标志
加速编程操作
通过向WP/ACC引脚施加高压（VHH），设备将进入加速编程模式。加速编程模式允许系统直接跳过正常的解锁序列指令和编程字节/字位置。在加速编程过程中从wp/acc引脚引出的电流不再是iacc1。重要提示：每个部门的加速项目不得超过10个。（对于任何其他功能，除了编程或可能对设备造成损坏外，wp/acc不应保持在vhh。）
自动选择总线操作
基本上有两种方法可以访问自动选择操作；自动选择
指令通过软件命令和高压施加到A9上。有关不需要使用VHH的等效指令操作的详细信息，请参阅本节后面的自动选择指令序列。以下五项巴士营运要求A9升为VHH。
扇区锁定状态验证
要使用总线操作验证任何扇区的受保护状态，请执行一个对A9应用VHH的读取操作，地址引脚A[22:12]上的扇区地址、地址引脚A6、A3、A2和A0保持低位，地址引脚A1保持高位。如果dq0低，则认为扇区未受保护；如果dq0高，则认为扇区受保护。
读取硅制造商ID代码
Winbond的29GL系列并行闪存具有与行业标准兼容的制造商ID代码01H。要验证硅制造商ID代码，请在应用于A9管脚的VHH下执行读取操作，地址管脚A6、A3、A2、A1和A0保持低位。然后，可以在数据位dq上读取id代码[7:0]。
读取硅器件ID码
要验证硅设备ID代码，执行读取操作，将VHH应用于A9管脚，地址管脚A6、A3、A2、A1和A0具有多个位组合，以返回Winbond设备ID代码7eh、21h或01h，如数据位Dq[7:0]所示。
安全扇区高低地址读取指示位DQ7
要验证安全扇区是否已在工厂锁定，请执行一个对A9应用VHH的读取操作，地址引脚A6、A3和A2保持低位，地址引脚A1和A0保持高位。如果安全扇区已被工厂锁定，则代码99h（最高地址扇区）或89h（最低地址扇区）将显示在数据位dq[7:0]上。否则，将显示出厂解锁代码19H（H）/09（L）。
自动选择操作
如果设备处于以下模式之一，则可以执行表7-13中所示的自动选择指令：读取、程序挂起、擦除挂起读取或cfi。此时，用户可以发出（两个解锁循环，然后是自动选择指令90h）进入自动选择模式。一旦进入自动选择模式，用户就可以多次查询制造商id、设备id、安全扇区锁定状态或扇区保护状态，而无需再次执行解锁周期和自动选择指令（90h）。
一旦进入自动选择模式，执行复位指令（f0h）将使设备返回到第一次执行自动选择模式时离开的有效模式。
前面提到的进入自动选择模式的另一种方法是在设备总线操作中使用表7-2所示的总线操作之一。一旦高压（VHH）从A9引脚上移除，设备将返回到第一次执行自动选择模式时离开的有效模式。
自动选择指令序列
自动选择模式的目的是访问制造商ID、设备ID，并验证安全硅是否已锁定以及扇区是否受保护。有四个指令周期组成自动选择模式。前两个周期是写解锁命令，然后是自动选择指令（90h）。第四个周期是读取周期，用户可以在任何地址读取任意次数而无需输入另一个指令序列。为了退出自动选择模式和返回到读取阵列，复位指令是必要的。选择自动选择模式后，除重置指令外，不允许其他指令
自动选择MFR/设备ID/安全硅/扇区保护读取
增强型变量IO（EVIO）控制
增强型可变IO（EVIO）控制允许主机系统设置设备在所有输入和输出（地址、控制和DQ信号）上产生和容忍的电压水平。evio范围是1.65到vcc。
例如，1.65-3.6伏的evio允许在1.8或3伏电平下进行i/o，驱动和接收来自同一数据总线上其他1.8或3伏设备的信号。
硬件数据保护选项
硬件数据保护是W29GL128提供的两种主要扇区保护中的第二种。
WP/ACC选项
通过将wp/acc引脚设置为vil，最高或最低扇区（特定于设备）受到保护，不受所有擦除/程序操作的影响。如果wp/acc设置为高，则最高和最低扇区将恢复到以前的受保护/未受保护状态。
注：当设备进入待机模式时，如果wp/acc引脚在vih，则最大输入负载电流会增加。
VCC写保护
当VCC小于VWPT（VCC写保护阈值）时，此设备将不接受任何写指令。这可防止在通电、断电、临时断电或VCC低电平时无意中更改数据。如果vcc低于vwpt，则设备会自动重置自身并忽略写入周期，直到vcc大于vwpt。一旦VCC上升到VWPT以上，确保控制管脚上有正确的信号，以避免意外的程序或擦除操作。
写入脉冲“故障”保护
小于5ns的脉冲被视为控制信号“ce”、“we”和“oe”的故障，将不被视为有效的写入周期。
加电写入抑制
设备忽略“we”上升沿上的第一条指令，如果在设备通电时，“we”和“ce”设置为vil，而“oe”设置为vih。
逻辑抑制
当ce在vih，we在vih，或者oe在vil时，写循环被忽略。一个有效的写入周期需要CE和VIH上的OE。
固有数据保护
设备内置机制将在通电期间重置为读取模式，以避免意外擦除或编程。
指令完成
无效的指令集将导致内存返回到读取模式。只有在有效指令集成功完成后，设备才会开始擦除或程序操作。
通电顺序
在通电过程中，设备处于读取模式。
电源去耦
为了减少噪声影响，建议在VCC和GND之间连接一个0.1μF的电容器。
加强部门保护/联合国保护
该装置在工厂以增强扇区保护方案的单独保护模式设置。用户可以禁用或启用对任何单个扇区或整个芯片的编程或擦除操作。下图有助于描述这些方法的概述。
设备默认为单独模式，出厂时所有扇区都不受保护。
以下流程图显示了增强扇区保护的详细算法：
增强扇区保护/非保护IPB程序算法
锁寄存器
用户可以通过设置锁寄存器位dq0来选择安全硅扇区保护位作为安全扇区保护方法。锁定寄存器是一个16位一次性可编程寄存器。一旦编程DQ0，将在该模式下永久锁定。
一旦发出锁定寄存器位的指令集入口指令序列，所有的扇区读写函数都被禁用，直到锁寄存器退出序列被执行为止。
内存扇区和扩展内存扇区保护是使用锁寄存器配置的
锁寄存器程序算法
单独（非易失性）保护模式
单个保护位（IPB）
单个保护位（IPB）是一个非易失性位，每个扇区一位，其持久性等于闪存阵列的持久性。在擦除之前，IPB预编程和验证由设备管理，因此无需监控。
各个保护位由IPB程序指令逐扇区设置。一旦IPB设置为“0”，链接扇区将受到保护，阻止该扇区上的任何程序和/或擦除功能。IPB不能单独擦除，但执行“ALL IPB ERASE”指令将同时擦除所有IPB。当IPB编程对所有扇区进行，直到该模式退出时，读写功能被禁用。
如果需要解除其中一个受保护扇区的保护，首先，必须通过执行以下操作之一将IPB锁定位设置为“1”：关闭设备电源或执行硬件重置。第二，需要执行“ALL IPB ERASE指令。第三，需要再次设置各个保护位以反映所需的设置，最后，需要再次设置ipb锁定位，该锁定位锁定各个保护位，并且设备再次正常工作。
要验证给定扇区的IPB编程状态，需要对设备执行IPB读取指令。详见下面的IPB程序算法流程图。
注意
•当设置了IPB锁定位时，程序和/或擦除指令将不会执行，并且在不编程和/或擦除IPB的情况下超时。
•为了获得最佳保护效果，建议在启动代码的早期执行IPB锁定位设置指令。另外，通过保持wp 35;/acc=vil来保护引导代码。请注意，当wp/acc=vhh和wp/acc=vih时，ipb和dpb位执行相同的操作。
•在IPB命令模式下，在该扇区内读取将使该扇区的IPB状态恢复。所有读取都必须通过读取模式执行。
发行IPB指令集出口将使设备重置为正常读取模式，从而实现对数组的读写。
动态保护位（DPB）
动态保护允许软件应用程序轻松地保护扇区不受意外更改的影响，不过，当需要更改时，可以很容易地禁用该保护。
所有动态保护位（dpb）单独链接到其相关扇区，并且这些易失性位可以单独修改（设置或清除）。dpb仅为清除了相关ipb的未受保护扇区提供保护方案。要更改DPB，必须先执行“DPB指令集条目”，然后必须执行DPB集合（编程为“0”）或DPB清除（擦除为“1”）命令。这会将每个扇区分别置于受保护或未受保护状态。要退出DPB模式，执行“DPB指令集出口”指令。
注意
•首次装运零件时，IPB被清除（清除为“1”），通电或重置后，DPB可以被设置或清除。
IPB程序算法
笔记
一。IPB程序/擦除状态轮询流程：检查DQ6切换，当DQ6停止切换时，读取状态为0H/01H（程序为0h和擦除为01h），否则状态为“失败”和“退出”。
单独保护位锁定位
单个保护位锁定位（IPBLK）是控制所有IPB状态的全局锁定位。它是一个单一的易失位。如果设置了ipblk（“0”），则所有ipb都被锁定，所有扇区都根据各自的ipb受到保护或不受保护。当IPBLK=1（清除）时，所有IPB都被解锁并允许设置或清除。
要清除IPB锁定位，必须执行硬件重置或通电循环。
扇区保护状态表
安全扇区闪存区域
额外的128个字的存储空间被用作安全扇区区域，可以由工厂锁定或由客户锁定。要查询设备的锁定状态，客户可以使用自动选择地址03H和DQ7发出安全扇区保护验证或安全扇区工厂保护验证。
安全扇区区域在出厂时不受保护，对于客户可锁定设备，安全硅指示位（DQ7）设置为“0”。安全扇区区域在出厂时受到保护，对于出厂锁定的设备，安全硅扇区指示位设置为“1”。
工厂锁定：安全部门在工厂编程和保护
在工厂锁定的设备中，安全扇区在工厂装运前永久锁定ESN在字节模式下占用地址00000H到0000FH，在字模式下占用地址00000H到00007H，因为设备在安全区域中有一个16字节（8字）的ESN（电子序列号）。
