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非常低的待机功耗
反向电池保护
描述
VN920、VN920-B5、VN920SO是一种单片设备，采用STMicroelectronics Vipower M0-3技术制成，用于驱动任何类型的负载，一侧连接到
地面。有源VCC引脚电压钳保护装置免受低能量峰值，有源电流限制结合热关机和自动重启保护装置过载。该装置集成了一个模拟电流检测输出，输出的电流与负载电流成比例。接地针断开时，装置自动关闭。
方块图
应用示意图
反电池接地保护网络
解决方案1：接地线中的电阻器（仅限R）。这可以用于任何类型的负载
以下是有关如何标注电阻尺寸的说明。
1）rgnd≤600mv/（开）最大值。
2）r≥（-v）/（-i），其中-i是直流反向接地引脚电流，可在设备数据表的绝对最大额定值部分找到R中的功耗（当V<0时：在反向电池情况下）为：Pd=（-VCC）2/rgnd
这个电阻可以在几个不同的HSD之间共享。请注意，该电阻的值应采用公式（1）计算，其中i为不同装置的最大通态电流之和。S（on）max
请注意，如果微处理器接地与设备接地不共用，则rwill将在输入阈值和状态输出值中产生移位（i*r）。在多个高端驱动器共享同一R的情况下，这一变化将取决于设备的数量。GNDS（on）maxGNDGND
如果计算的功耗导致一个大电阻或多个设备必须共享同一个电阻，则ST建议使用解决方案2（见下文）。
解决方案2：接地线中的二极管（D）。GND如果装置将驱动感应负载，则应将电阻（R=1KΩ）并联至D。GNDGND这个小信号二极管可以安全地在几个不同的高速驱动器之间共享。同样，在这种情况下，如果微处理器接地与设备接地不共用，则接地网络的存在将在输入阈值和状态输出值中产生移位（600毫伏）。如果多个HSD共享同一个二极管/电阻器网络，则此偏移不会改变。
甩负荷保护
如果负载转储峰值电压超过V最大直流额定值，则需要D（电压瞬变抑制器）。如果设备在V线上受到的瞬变比ISO T/R 7637/1表中所示的瞬变大，则同样适用。γ半导体激光器科科斯群岛科科斯群岛C I/O保护：如果使用接地保护网络，且V线上存在负瞬变，则控制销将被拉为负。ST建议在线路中插入一个电阻（R），以防止μC I/O引脚锁定。科科斯群岛普罗特这些电阻的值是μc的泄漏电流hsd i/os（输入电平兼容性）要求的电流（锁存限制为μc i/os）之间的折衷。
-V阴极射线管我闭锁 小于R普罗特小于（V）哦γC-V免疫球蛋白-VGND）我IHMAX计算示例：
对于V=-100V和I≥20mA；VμC≥4.5V 5KΩ≤R≤65KΩ。阴极射线管闭锁哦普罗特推荐的rvalue为10kΩ。普罗特
