FDS6982S点击型号即可查看芯片规格书
一般说明
FDS6982S设计用于替代两个单SO-8同步dc:dc中的mosfet和肖特基二极管提供各种外围电压的电源用于笔记本电脑和其他电池供电的电子设备。FDS6982S包含两个唯一的30V，N通道，逻辑电平，功率管mosfet旨在最大限度地提高功率转换效率。高压侧开关（Q1）的设计
强调降低开关损耗，同时优化低压侧开关（q2）以降低传导损失。q2还包括集成肖特基二极管使用Fairchild的单片同步场效应晶体管技术。
特征
2：优化以最小化传导损耗包括Syncfet肖特基体二极管8.6A，30V rds（开）=0.016Ω@VGS=10Vrds（开）=0.022Ω@VGS=4.5VQ1：针对低开关损耗进行优化低栅极电荷（典型值为8.5 NC）6.3A，30V rds（开）=0.028Ω@VGS=10Vrds（开）=0.035Ω@VGS=4.5V
肖特基体二极管
特点
Fairchild的Syncfet工艺将肖特基二极管嵌入与功率管沟mosfet并联。这个二极管显示与离散外肖特基相似的特性与mosfet并联的二极管。图显示了FDS6982S的反向恢复特性。FDS6982S同步场效应管体二极管反向恢复特性。
为了便于比较，图显示了相反的半导体激光器体二极管的恢复特性无syncfet的等效尺寸mosfet（FDS6982）。
肖特基势垒二极管在高温度和高反向电压。这会增加设备中的电源。非同步场效应管（FDS6982）主体特性反向恢复二极管。
同步体二极管漏水与排水源电压
温度非同步场效应管（FDS6982）主体特性反向恢复二极管。
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笔记：
1。rθja是连接到外壳和外壳到环境的热阻之和，其中外壳热参考被定义为排水销。rθjc由设计保证，rθca由用户板设计确定。
2.脉冲测试：脉冲宽度<300微秒，占空比<2.0%
3.“Syncfet肖特基体二极管特性”。
